Вышедшие номера
Влияние температуры на вольт-амперные характеристики композитных материалов, полученных на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей
Степашкина А.С.1, Алешин А.Н2, Рымкевич П.П.3
1Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского, Санкт-Петербург, Россия
Email: Stepashkina.anna@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Получен композитный материал на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей в форме пленок и блоков. Показано, что зависимость удельного электрического сопротивления композита от массовой доли наполнителя имеет пороговый характер. Измерены вольт-амперные характеристики композитных пленок при различных значениях температур в диапазоне 80-360 K. Найдена зависимость удельного электрического сопротивления композитов от температуры при разных значениях массовой доли наполнителей. Представлено теоретическое описание вольт-амперных характеристик при различных температурах.
  1. A. Mdarhri, F. Carmona, C. Brossea, P.J. Delhaes. J. Appl. Phys. 103, 054 303 (2008)
  2. X. Luo, D.D.L. Chung. Comp. Sci. Technol. 61, 317 (2001)
  3. A. Malliaris, D.T. Turner. J. Appl. Phys. 42, 614 (1971)
  4. J.M. Keith, J.A. King, B.A. Johnson. J. New Mater. Electrochem. Systems 11, 256 (2008)
  5. А.Н. Левин. Полиэтилен и полипропилен. ГОСИНТИ, М. (1961) 190 с
  6. P.J. Mather, K.M. Thomas. J. Mater. Sci. 32, 1711 (2011)
  7. D.L. Chung, S. Wang. Smart Mater. Struct. 8, 161 (1999)
  8. J. Anelim, G. Zakov, O. Mukbaniani. Chemstry Chem. Technol. 5, 75 (2011)
  9. E. Bilotti, H. Zhang, H. Deng, R. Zhang. Composit. Sci. Technol. 74, 85 (2013)
  10. О.А. Москалюк, А.Н. Алешин, Е.С. Цобкалло, А.В. Крестинин, В.Е. Юдин. ФТТ 54, 10, 1994 (2012)
  11. D. Stauffer, A. Aharony. Introduction to percolation theory. 2nd ed. Taylor and Francis Inc., Philadelphia (1994). 156 p
  12. Н. Мотт. Электроны в неупорядоченных структурах. Мир, М. (1969). 179 c
  13. А.Л. Эфрос. Физика и геометрия беспорядка. Наука, М. (1982). 120 c
  14. P. Sheng. Phys. Rev. B 21, 2180 (1980)
  15. Y.W. Park, A.J. Heeger, M.A. Druy, A.G. MacDiarmid. J. Chem. Phys. 73, 946 (1980)
  16. A.B. Kaiser. Rep. Progr. Phys. 64, 1 (2001)
  17. C.L. Chien, S.H. Lioh. J. Non-Cryst. Solids. 61--62, 1119 (1984)
  18. L.V. Meisel, P.J. Cote. Phys. Rev. B 30, 1743 (1984)
  19. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties. Springer, Berlin--Heidelberg--N.Y. (2002). 560 p
  20. Дж. Слэтер. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир, (1969). 350 с
  21. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electon-electron interaction in disordered system. Modern problems in condensed matter science. North-Holland Physics Publ., (1985). V. 10. 690 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.