Вышедшие номера
Исследование резистивного переключения вертикально ориентированной углеродной нанотрубки методами сканирующей зондовой микроскопии
Агеев О.А.1, Блинов Ю.Ф.1, Ильин О.И.1, Коноплев Б.Г.1, Рубашкина М.В.1, Смирнов В.А.1, Федотов А.А.1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
Email: ageev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 10 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований методами сканирующей зондовой микроскопии влияния внешнего электрического поля на электромеханические свойства и закономерности резистивного переключения вертикально ориентированной углеродной нанотрубки (ВОУНТ). Показано, что отношение сопротивлений ВОУНТ в высокоомном и низкоомном состояниях превышает 25 при расстоянии между зондом сканирующего туннельного микроскопа и ВОУНТ 1 nm и напряжении 8 V, и зависит от величины напряжения, прикладываемого между зондом и ВОУНТ. Предложен механизм резистивного переключения ВОУНТ, основанный на мгновенной деформации и возникновении внутреннего электрического поля ВОУНТ в результате резкого изменения производной напряженности внешнего электрического поля по времени. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании элементов резистивной энергоэффективной памяти с высокой плотностью ячеек на основе вертикально ориентированных углеродных нанотрубок. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части госзадания в сфере научной деятельности (задание 16.1154.2014/К).
  1. L. Chua. Proc. IEEE 91, 1830 (2003)
  2. K.S. Vasu, S. Sampath, A.K. Sood. Solid State Commun. 151, 1084 (2011)
  3. A. Beck, J.G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, D. Widmer. Appl. Phys. Lett. 77, 1, 139 (2000)
  4. S. Seo, M.J. Lee. Appl. Phys. Lett. 85, 23, 5655 (2004)
  5. В.И. Авилов, О.А. Агеев, А.С. Коломийцев, Б.Г. Коноплев, В.А. Смирнов, О.Г. Цуканова. Изв. вузов. Электроника 2, 106, 50 (2014)
  6. T.H. Kim, E.Y. Jang, N.J. Lee, D.J. Choi, K.J. Lee, J. Jang, J.S. Choi. Nano Lett. 9, 2229 (2009)
  7. J. Yao, J. Zhong, L. Zhong, D. Natelson, J.M. Tour. Am. Chem. Soc. 3, 12, 4122 (2009)
  8. Y. Dong, G. Yu, M.C. McAlpine, W. Lu, C.M. Lieber. Nano Lett. 8, 2, 386, (2008)
  9. M. Meyyappan. J. Phys. D 42 213 001 (2009)
  10. О.А. Агеев, О.И. Ильин, В.С. Климин, Б.Г. Коноплев, А.А. Федотов. Хим. физика и мезоскопия 13, 2, 226 (2011)
  11. О.А. Агеев, Ю.Ф. Блинов, О.И. Ильин, А.С. Коломийцев, Б.Г. Коноплев, М.В. Рубашкина, В.А. Смирнов, А.А. Федотов. ЖТФ 83, 12, 128 (2013)
  12. A.D. Bartolomeo, A. Scarfato, F. Giubileo, F. Bobba, M. Biasiucci, A.M. Cucolo, S. Santucci, M. Passacantando. Carbon 45, 2957 (2007)
  13. J.-M. Bonard, Ch. Klinke. Phys. Rev. B, 67, 115 406, (2003)
  14. B. Kozinsky, N. Marzari. Phys. Rev. Lett. 96, 166 801 (2006)
  15. S.L. Konsek, R.J.N. Coope, T.P. Pearsall, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett. 70, 1846 (1997)
  16. О.А. Агеев, О.И. Ильин, А.С. Коломийцев, Б.Г. Коноплев, М.В. Рубашкина, В.А. Смирнов, А.А. Федотов. Рос. нанотехнологии 7, 1--2, 54 (2012)
  17. Y. Gao, Z.L. Wang. Nano Lett. 7, 8, 2499 (2007)
  18. В. Головнин, И. Каплунов, О. Малышкина, Б. Педько, А. Мовчикова. Физические основы, методы исследования и практическое применение пьезоматериалов. Техносфера, M. (2013). C. 118
  19. B. Liu, H. Jiang, H.T. Johnson, Y. Huang. J. Mech. Phys. Solid 52, 1 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.