Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2014, выпуск 11 » Статья стр. 2231
<<<>>>
Структура и состав пленок карбида кремния, синтезированных методом ионной имплантации
Нусупов К.Х.1, Бейсенханов Н.Б.1, Жариков С.К.1, Бейсембетов И.К.1, Кенжалиев Б.К.1, Ахметов Т.К.1, Сейтов Б.Ж.1
1Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Email: n.beisenkhanov@kbtu.kz
Поступила в редакцию: 5 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
PDF версия
Посредством математического разложения ИК-спектра поглощения, полученного от слоя Si после имплантации ионов С+ с энергией 10 или 40 keV или от однородной пленки SiC0.7, показано, что доли слабых удлиненных Si-C-связей аморфной фазы, сильных укороченных Si-C-связей на поверхности мелких нанокристаллов, тетраэдрических Si-C-связей кристаллической фазы (степень кристалличности) после высокотемпературного отжига (1250-1400oC) слоев составляют 29/29/42, 22/7/71 и 21/31/48%, соответственно. Методом рентгеновской рефлектометрии и моделированием с помощью программы Release в пленке идентифицирована система слоев SiC2.0, SiO2, SiC0.8, SiC0.6 на подложке Si. Данные рефлектометрии о флуктуации интенсивности отражений в области главного максимума объясняются вариацией плотности по глубине слоя с гауссовым распределением атомов углерода от 2.55 g/cm3 (слой SiС0.25) и 2.90 g/cm3 (SiC0.65) до 3.29 g/cm3 (SiC1.36). Работа поддержана комитетом науки Министерства образования и науки Республики Казахстан: "Исследование наноструктурированных слоев карбида кремния, синтезированных методами ионной имплантации и ионно-лучевого распыления" (ГР 0217/ГФ, 2012-201 гг., приоритет "Интеллектуальный потенциал страны", подприоритет "Фундаментальные исследования в области естественных наук").
  1. F. Liao, S.L. Girshick, W.M. Mook, W.W. Gerberich, M.R. Zachariah. Appl. Phys. Lett. 86, 171 913 (2005)
  2. А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.В. Корляков, А.О. Лебедев, В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. В cб.: Физика и Технология микро- и наносистем / Под ред. В.В. Лучинина и В.В. Малиновского. Русская коллекция, СПб. (2011). С. 50
  3. K. Oguri, T. Sekigawa. US Patent. Publ. N US 2004/0180242 A1 (2004)
  4. H. Yаn, B. Wang, X.M. Song, L.W. Таn, S.J. Zhang, G.H. Chen, S.P.Wong, R.W.M. Kwok, W.M.L. Lео. Diamond Related Mater. 9, 1795 (2000)
  5. D. Chen, S.P. Wong, Sh. Yang, D. Mо. Thin Solid Films 426, 1 (2003)
  6. Y. Liangdeng, S. Intarasiri, T. Kamwanna, S. Singkarat. In: Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators. IAEA-TECDOC-1607, Vienna, Austria (2008). P. 63
  7. J.K.N. Lindner. Appl.Phys. A 77, 27 (2003)
  8. J.A. Borders, S.T. Picraux, W. Beezhold. Appl. Phys. Lett. 18, 11, 509 (1971)
  9. R.M. Bayazitov, I.B. Haibullin, R.I. Batalov, R.M. Nurutdinov, L.Kh. Antonova, V.P. Aksenov, G.N. Mikhailova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 206, 984 (2003)
  10. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov. In: Silicon carbid-materials, processing and applications in electronic devices / Ed. M. Mukherjee. InTech, Croatia (2011). Ch. 4. P. 69
  11. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, И.В. Валитова, Е.А. Дмитриева, Д. Жумагалиулы, Е.А. Шиленко. ФТТ 48, 7, 1187 (2006)
  12. J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, H.Z. Wang, G.O. Yang. Appl. Phys. Lett. 73 (13), 1838 (1998)
  13. Д.И. Телебаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.К. Васильев, А.И. Ковалев, Д.Л. Вайнштейн, Y. Golan, A. Osherov. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 9, 50 (2009)
  14. L. Pavesi. Mater. Today 8 (1), 18 (2005)
  15. A. Perez-Rodri guez, O. Gonzalez-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 94, 1, 254 (2003)
  16. O. Gonzalez-Varona, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, C. Bonafos, M. Lopez, J.R. Morante, J. Montserrat, R. Rodrguez. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 161- 163, 904 (2000)
  17. А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, А.П. Сидорин, А.П. Грачев, А.В. Ершов, Д.И. Телебаум. ФТП 44, 11, 1498 (2010)
  18. G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho, E. Cho, C. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y. Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, K. Lin. Thin Solid Films 511- 512, 654 (2006)
  19. Г.П. Яровой, Н.В. Латухина, А.С. Рогожин, А.С. Гуртов, С.В. Ивков, С.И. Миненко. Изв. Самар. науч. центра РАН 14, 1, 521 (2012)
  20. T. Chen, Y. Huang, A. Dasgupta, M. Luysberg, L. Houben, D. Yang, R. Carius, F. Finger. Solar Energy Mater. Solar Cells 98, 370 (2012)
  21. T. Chen, Y. Huang, H. Wang, D. Yang, A. Dasgupta, R. Carius, F. Finger. Thin Solid Films 517, 12, 3513 (2009)
  22. S. Ogawa, M. Okabe, Y. Ikeda, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura. Thin Solid Films 516, 5, 740 (2008)
  23. J. Ma, J. Ni, J. Zhang, Z. Huang, G. Hou, X. Chen, X. Zhang, X. Geng, Y. Zhao. Solar Energy Mater. Solar Cells 114, 9 (2013)
  24. D. Pysch, M. Bivour, M. Hermle, S.W. Glunz. Thin Solid Films 519, 8, 2550 (2011)
  25. N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, A.G. Rozhin, V.N. Dikusha, M. Kittler, W. Seifert. Solar Energy Mater. Solar Cells 72, 1- 4, 597 (2002)
  26. Е.К. Баранова, К.Д. Демаков, К.В. Старинин, Л.Н. Стрельцов, И.Б. Хайбуллин. ДАН СССР 200, 869 (1971)
  27. T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 122, 165 (1984)
  28. I.P. Akimchenko, K.V. Kisseleva, V.V. Krasnopevtsev, Yu.V. Milyutin, A.G. Touryanski, V.S. Vavilov. Rad. Effects 33, 75 (1977)
  29. К.Х. Нусупов. Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превращения. Автореф. докт. дис. ФИАН им. П.Н. Лебедева, М. (1996). 43 c
  30. И.П. Акимченко, Х.Р. Каздаев, И.А. Каменских, В.В. Краснопевцев. ФТП 13, 2, 375 (1979)
  31. T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 81, 319 (1981)
  32. K. Srikanth, M. Chu, S. Ashok, N. Nguyen, K. Vedam. Thin Solid Films 163, 323 (1988)
  33. Н.Н. Герасименко, О.Н. Кузнецов, Л.В. Лежейко, Е.В. Любопытова, Л.С. Смирнов, Ф.Л. Эдельман. Микроэлектроника 3, 5, 467 (1974)
  34. I.P. Akimchenko, K.V. Kisseleva, V.V. Krasnopevtsev, A.G. Touryanski, V.S. Vavilov. Rad. Effects 48, 7 (1980)
  35. Р.М. Баязитов, И.Б. Хайбуллин, Р.И. Баталов, Р.М. Нурутдинов, ЖТФ 73, 6, 82 (2003)
  36. K.V. Vaidyanathan. J. Appl. Phys. 44, 2, 583 (1973)
  37. M.J. Koyama. J. Appl. Phys. 51, 6, 3202 (1980)
  38. M. Reeson, J. Stoemenos, P.L.F. Hemment. Thin Solid Films 191, 147 (1990)
  39. K.Kh. Nussupov, V.O. Sigle, N.B. Beisenkhanov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 82, 69 (1993)
  40. P. Durupt, B. Canut, J.P. Gauthier, J.A. Roger, J. Pivot. Mater. Res. Bull. 15, 1557 (1980)
  41. И.П. Акимченко, Х.Р. Каздаев, В.В. Краснопевцев. ФТП 11, 10, 1964 (1977)
  42. L. Calcagno, G. Compagnini, G. Foti, M.G. Grimaldi, P. Musumeci. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 120, 121 (1996)
  43. W. Rothemund, C.R. Fritzsche. J. Electrochem. Soc. 121, 4, 586 (1974)
  44. A.G. Touryanski, A.V. Vinogradov, I.V. Pirshin. X-ray reflectometer. Official Gazette. Patent N 6041098. US Cl. 378-70. 2960 (2000)
  45. А. Tурьянский, Н. Герасименко, И. Пиршин, В. Сенков. Наноиндустрия 5, 40 (2009)
  46. J.F. Gibbons, W.S. Johnson, S.W. Mylroie. Projected range statistics: semiconductors and related materials. 2nd ed. Dowden, Hutchinson and Ross, Inc. Stroudsburg(1975)
  47. Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, В.С. Просолович. Вестн. БГУ. Сер. 1. Физика. Математика. Информатика 1, 41 (2010)
  48. И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП 37, 1, 98 (2003)
  49. T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 94, 191 (1982)
  50. S.P. Wong, D. Chen, L.C. Ho, H. Yan, R.W.M. Kwok. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 140, 70 (1998)
  51. B.L. Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. Atom. Data Nucl. Data Tabl. 54, 2, 181 (1993); http://henke.lbl.gov/optical\_constants/
  52. D. Chen, W.Y. Cheung, S.P. Wong. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 148, 589 (1999)
  53. J.K.N. Lindner, K. Volz, U. Preckwinkel, B. Gotz, A. Frohnwieser, B. Stritzker, B. Rauschenbach. Mater. Chem. Phys. 46, 2- 3, 147 (1996)
  54. P. Martin, B. Daudin, M. Dupuy, A. Ermolieff, M. Olivier, A.M. Papon, G.J. Rolland. J. Appl. Phys. 67, 6, 2908 (1990)
  55. С.А. Апрелов. Многоволновая рентгеновская рефректометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур. Автореф. канд. дис. Моск. гос. ин-т электрон. техники, М. (2007). 28 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme