Издателям
Вышедшие номера
Структура и состав пленок карбида кремния, синтезированных методом ионной имплантации
Нусупов К.Х.1, Бейсенханов Н.Б.1, Жариков С.К.1, Бейсембетов И.К.1, Кенжалиев Б.К.1, Ахметов Т.К.1, Сейтов Б.Ж.1
1Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Email: n.beisenkhanov@kbtu.kz
Поступила в редакцию: 5 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2014 г.

Посредством математического разложения ИК-спектра поглощения, полученного от слоя Si после имплантации ионов С+ с энергией 10 или 40 keV или от однородной пленки SiC0.7, показано, что доли слабых удлиненных Si-C-связей аморфной фазы, сильных укороченных Si-C-связей на поверхности мелких нанокристаллов, тетраэдрических Si-C-связей кристаллической фазы (степень кристалличности) после высокотемпературного отжига (1250-1400oC) слоев составляют 29/29/42, 22/7/71 и 21/31/48%, соответственно. Методом рентгеновской рефлектометрии и моделированием с помощью программы Release в пленке идентифицирована система слоев SiC2.0, SiO2, SiC0.8, SiC0.6 на подложке Si. Данные рефлектометрии о флуктуации интенсивности отражений в области главного максимума объясняются вариацией плотности по глубине слоя с гауссовым распределением атомов углерода от 2.55 g/cm3 (слой SiС0.25) и 2.90 g/cm3 (SiC0.65) до 3.29 g/cm3 (SiC1.36). Работа поддержана комитетом науки Министерства образования и науки Республики Казахстан: "Исследование наноструктурированных слоев карбида кремния, синтезированных методами ионной имплантации и ионно-лучевого распыления" (ГР 0217/ГФ, 2012-201 гг., приоритет "Интеллектуальный потенциал страны", подприоритет "Фундаментальные исследования в области естественных наук").
  • F. Liao, S.L. Girshick, W.M. Mook, W.W. Gerberich, M.R. Zachariah. Appl. Phys. Lett. 86, 171 913 (2005)
  • А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, А.В. Корляков, А.О. Лебедев, В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров. В cб.: Физика и Технология микро- и наносистем / Под ред. В.В. Лучинина и В.В. Малиновского. Русская коллекция, СПб. (2011). С. 50
  • K. Oguri, T. Sekigawa. US Patent. Publ. N US 2004/0180242 A1 (2004)
  • H. Yаn, B. Wang, X.M. Song, L.W. Таn, S.J. Zhang, G.H. Chen, S.P.Wong, R.W.M. Kwok, W.M.L. Lео. Diamond Related Mater. 9, 1795 (2000)
  • D. Chen, S.P. Wong, Sh. Yang, D. Mо. Thin Solid Films 426, 1 (2003)
  • Y. Liangdeng, S. Intarasiri, T. Kamwanna, S. Singkarat. In: Ion beam applications in surface and bulk modification of insulators. IAEA-TECDOC-1607, Vienna, Austria (2008). P. 63
  • J.K.N. Lindner. Appl.Phys. A 77, 27 (2003)
  • J.A. Borders, S.T. Picraux, W. Beezhold. Appl. Phys. Lett. 18, 11, 509 (1971)
  • R.M. Bayazitov, I.B. Haibullin, R.I. Batalov, R.M. Nurutdinov, L.Kh. Antonova, V.P. Aksenov, G.N. Mikhailova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 206, 984 (2003)
  • K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov. In: Silicon carbid-materials, processing and applications in electronic devices / Ed. M. Mukherjee. InTech, Croatia (2011). Ch. 4. P. 69
  • К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, И.В. Валитова, Е.А. Дмитриева, Д. Жумагалиулы, Е.А. Шиленко. ФТТ 48, 7, 1187 (2006)
  • J. Zhao, D.S. Mao, Z.X. Lin, B.Y. Jiang, Y.H. Yu, X.H. Liu, H.Z. Wang, G.O. Yang. Appl. Phys. Lett. 73 (13), 1838 (1998)
  • Д.И. Телебаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, В.К. Васильев, А.И. Ковалев, Д.Л. Вайнштейн, Y. Golan, A. Osherov. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 9, 50 (2009)
  • L. Pavesi. Mater. Today 8 (1), 18 (2005)
  • A. Perez-Rodri guez, O. Gonzalez-Varona, B. Garrido, P. Pellegrino, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 94, 1, 254 (2003)
  • O. Gonzalez-Varona, A. Perez-Rodriguez, B. Garrido, C. Bonafos, M. Lopez, J.R. Morante, J. Montserrat, R. Rodrguez. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 161- 163, 904 (2000)
  • А.И. Белов, А.Н. Михайлов, Д.Е. Николичев, А.В. Боряков, А.П. Сидорин, А.П. Грачев, А.В. Ершов, Д.И. Телебаум. ФТП 44, 11, 1498 (2010)
  • G. Conibeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho, E. Cho, C. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y. Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, K. Lin. Thin Solid Films 511- 512, 654 (2006)
  • Г.П. Яровой, Н.В. Латухина, А.С. Рогожин, А.С. Гуртов, С.В. Ивков, С.И. Миненко. Изв. Самар. науч. центра РАН 14, 1, 521 (2012)
  • T. Chen, Y. Huang, A. Dasgupta, M. Luysberg, L. Houben, D. Yang, R. Carius, F. Finger. Solar Energy Mater. Solar Cells 98, 370 (2012)
  • T. Chen, Y. Huang, H. Wang, D. Yang, A. Dasgupta, R. Carius, F. Finger. Thin Solid Films 517, 12, 3513 (2009)
  • S. Ogawa, M. Okabe, Y. Ikeda, T. Itoh, N. Yoshida, S. Nonomura. Thin Solid Films 516, 5, 740 (2008)
  • J. Ma, J. Ni, J. Zhang, Z. Huang, G. Hou, X. Chen, X. Zhang, X. Geng, Y. Zhao. Solar Energy Mater. Solar Cells 114, 9 (2013)
  • D. Pysch, M. Bivour, M. Hermle, S.W. Glunz. Thin Solid Films 519, 8, 2550 (2011)
  • N.I. Klyui, V.G. Litovchenko, A.G. Rozhin, V.N. Dikusha, M. Kittler, W. Seifert. Solar Energy Mater. Solar Cells 72, 1- 4, 597 (2002)
  • Е.К. Баранова, К.Д. Демаков, К.В. Старинин, Л.Н. Стрельцов, И.Б. Хайбуллин. ДАН СССР 200, 869 (1971)
  • T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 122, 165 (1984)
  • I.P. Akimchenko, K.V. Kisseleva, V.V. Krasnopevtsev, Yu.V. Milyutin, A.G. Touryanski, V.S. Vavilov. Rad. Effects 33, 75 (1977)
  • К.Х. Нусупов. Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные особенности и фазовые превращения. Автореф. докт. дис. ФИАН им. П.Н. Лебедева, М. (1996). 43 c
  • И.П. Акимченко, Х.Р. Каздаев, И.А. Каменских, В.В. Краснопевцев. ФТП 13, 2, 375 (1979)
  • T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 81, 319 (1981)
  • K. Srikanth, M. Chu, S. Ashok, N. Nguyen, K. Vedam. Thin Solid Films 163, 323 (1988)
  • Н.Н. Герасименко, О.Н. Кузнецов, Л.В. Лежейко, Е.В. Любопытова, Л.С. Смирнов, Ф.Л. Эдельман. Микроэлектроника 3, 5, 467 (1974)
  • I.P. Akimchenko, K.V. Kisseleva, V.V. Krasnopevtsev, A.G. Touryanski, V.S. Vavilov. Rad. Effects 48, 7 (1980)
  • Р.М. Баязитов, И.Б. Хайбуллин, Р.И. Баталов, Р.М. Нурутдинов, ЖТФ 73, 6, 82 (2003)
  • K.V. Vaidyanathan. J. Appl. Phys. 44, 2, 583 (1973)
  • M.J. Koyama. J. Appl. Phys. 51, 6, 3202 (1980)
  • M. Reeson, J. Stoemenos, P.L.F. Hemment. Thin Solid Films 191, 147 (1990)
  • K.Kh. Nussupov, V.O. Sigle, N.B. Beisenkhanov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 82, 69 (1993)
  • P. Durupt, B. Canut, J.P. Gauthier, J.A. Roger, J. Pivot. Mater. Res. Bull. 15, 1557 (1980)
  • И.П. Акимченко, Х.Р. Каздаев, В.В. Краснопевцев. ФТП 11, 10, 1964 (1977)
  • L. Calcagno, G. Compagnini, G. Foti, M.G. Grimaldi, P. Musumeci. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 120, 121 (1996)
  • W. Rothemund, C.R. Fritzsche. J. Electrochem. Soc. 121, 4, 586 (1974)
  • A.G. Touryanski, A.V. Vinogradov, I.V. Pirshin. X-ray reflectometer. Official Gazette. Patent N 6041098. US Cl. 378-70. 2960 (2000)
  • А. Tурьянский, Н. Герасименко, И. Пиршин, В. Сенков. Наноиндустрия 5, 40 (2009)
  • J.F. Gibbons, W.S. Johnson, S.W. Mylroie. Projected range statistics: semiconductors and related materials. 2nd ed. Dowden, Hutchinson and Ross, Inc. Stroudsburg(1975)
  • Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, В.С. Просолович. Вестн. БГУ. Сер. 1. Физика. Математика. Информатика 1, 41 (2010)
  • И.П. Лисовский, И.З. Индутный, Б.Н. Гненный, П.М. Литвин, Д.О. Мазунов, А.С. Оберемок, Н.В. Сопинский, П.Е. Шепелявый. ФТП 37, 1, 98 (2003)
  • T. Kimura, Sh. Kagiyama, Sh. Yugo. Thin Solid Films 94, 191 (1982)
  • S.P. Wong, D. Chen, L.C. Ho, H. Yan, R.W.M. Kwok. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 140, 70 (1998)
  • B.L. Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. Atom. Data Nucl. Data Tabl. 54, 2, 181 (1993); http://henke.lbl.gov/optical\_constants/
  • D. Chen, W.Y. Cheung, S.P. Wong. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 148, 589 (1999)
  • J.K.N. Lindner, K. Volz, U. Preckwinkel, B. Gotz, A. Frohnwieser, B. Stritzker, B. Rauschenbach. Mater. Chem. Phys. 46, 2- 3, 147 (1996)
  • P. Martin, B. Daudin, M. Dupuy, A. Ermolieff, M. Olivier, A.M. Papon, G.J. Rolland. J. Appl. Phys. 67, 6, 2908 (1990)
  • С.А. Апрелов. Многоволновая рентгеновская рефректометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур. Автореф. канд. дис. Моск. гос. ин-т электрон. техники, М. (2007). 28 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.