Особенности генерации и движения дислокаций в монокристаллах кремния, легированных азотом
Меженный М.В.1, Мильвидский М.Г.1, Резник В.Я.1
1Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2002 г.
Изучены особенности генерации и движения дислокаций в легированных азотом монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского. Движение дислокационных петель изучалось методом четырехточечного изгиба в интервале температур 500-800oC. Дислокационные петли предварительно вводили при комнатной температуре с помощью индентора Кнуппа. Установлено, что легирование азотом приводит к существенному увеличению критических напряжений начала движения дислокаций от поверхностных источников (отпечатков индентора). Также наблюдается увеличение напряжений генерации дислокаций от внутренних источников. Легирование кремния азотом приводит к уменьшению скорости движения дислокаций по сравнению с нелегированным материалом (при сопоставимых нагрузках). Упрочняющее действие азота объясняется ускоряющим влиянием азота на распад твердого раствора кислорода в кремнии в процессе посткристаллизационного охлаждения.
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984)
- W. Ohashi, A. Ikari, Y. Ohta, H. Yokota, A. Tachikawa, K. Ishizaka, H. Deai, T. Futagi, J. Takahashi, Y. Inoue, K. Nakai. Proc. Kazusa Academia Park Forum on the Silicon and Technology of Silicon Materials (1999). P. 80
- T. Abe, K. Kikuchi, S. Shirai, S. Muraoke. Semiconductor Silicon 81 / Ed. by H.R. Huff, R.J. Kriegler, Y. Takeishi. Electrochem. Soc., Pennington, N.J., USA (1981). P. 54
- K. Sumino, I. Yonenaga, M. Imai, T. Abe. J. Appl. Phys. 54, 5016 (1983)
- I. Yonenaga, K. Sumino. Jap. J. Appl. Phys. 21, 47 (1982)
- М.Г. Мильвидский. Изв. вузов. Материалы электронной техники 3, 4 (1999)
- B.Ya. Farber, V.I. Nikitenko. Phys. Stat. Sol. A73, K141 (1982)
- K. Sumino. Proc. 1st International Autumn School on Gettiring and Defect Engineering in the Semiconductor Technology / Ed. by H. Richter. (1985). P. 41
- I. Yonenaga, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. A50, 685 (1978)
- M. Imai, K. Sumino. Phil. Mag. A4, 599 (1983)
- K. Nakai, Y. Inoue, H. Yokota, A. Ikari, J. Takahashi, W. Ohashi. Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Internat. Symp. on Advance Science and Technology of Silicon Mater. Nov. 20--24 (2000). P. 88
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук