Изучены особенности генерации и движения дислокаций в легированных азотом монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского. Движение дислокационных петель изучалось методом четырехточечного изгиба в интервале температур 500-800oC. Дислокационные петли предварительно вводили при комнатной температуре с помощью индентора Кнуппа. Установлено, что легирование азотом приводит к существенному увеличению критических напряжений начала движения дислокаций от поверхностных источников (отпечатков индентора). Также наблюдается увеличение напряжений генерации дислокаций от внутренних источников. Легирование кремния азотом приводит к уменьшению скорости движения дислокаций по сравнению с нелегированным материалом (при сопоставимых нагрузках). Упрочняющее действие азота объясняется ускоряющим влиянием азота на распад твердого раствора кислорода в кремнии в процессе посткристаллизационного охлаждения.
М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984)
W. Ohashi, A. Ikari, Y. Ohta, H. Yokota, A. Tachikawa, K. Ishizaka, H. Deai, T. Futagi, J. Takahashi, Y. Inoue, K. Nakai. Proc. Kazusa Academia Park Forum on the Silicon and Technology of Silicon Materials (1999). P. 80
T. Abe, K. Kikuchi, S. Shirai, S. Muraoke. Semiconductor Silicon 81 / Ed. by H.R. Huff, R.J. Kriegler, Y. Takeishi. Electrochem. Soc., Pennington, N.J., USA (1981). P. 54
K. Sumino, I. Yonenaga, M. Imai, T. Abe. J. Appl. Phys. 54, 5016 (1983)
I. Yonenaga, K. Sumino. Jap. J. Appl. Phys. 21, 47 (1982)
М.Г. Мильвидский. Изв. вузов. Материалы электронной техники 3, 4 (1999)
B.Ya. Farber, V.I. Nikitenko. Phys. Stat. Sol. A73, K141 (1982)
K. Sumino. Proc. 1st International Autumn School on Gettiring and Defect Engineering in the Semiconductor Technology / Ed. by H. Richter. (1985). P. 41
I. Yonenaga, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. A50, 685 (1978)
M. Imai, K. Sumino. Phil. Mag. A4, 599 (1983)
K. Nakai, Y. Inoue, H. Yokota, A. Ikari, J. Takahashi, W. Ohashi. Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Internat. Symp. on Advance Science and Technology of Silicon Mater. Nov. 20--24 (2000). P. 88
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук