Издателям
Вышедшие номера
Механизм формирования и электронные свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100)
Бутурович Д.В.1, Вялых Д.В.2, Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1, Молодцов С.Л.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Fachrichtung Physik Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

Методами фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с применением синхротронного излучения, электронной Оже-спектроскопии, контактной разности потенциалов и дифракции медленных электронов в широкой области покрытий при различных температурах исследованы процессы формирования и свойства тонкопленочной системы Yb-Si(100). Установлено, что формирование системы Yb-Si(100), полученной методом твердофазной эпитаксии, происходит по механизму, близкому к механизму Странского-Крастанова. Показано, что при субмонослойных покрытиях образуются в основном двумерные (2D) структуры 2-1ptx-1pt 3 и 2-1ptx-1pt 6, а при более высоких степенях покрытия --- трехмерная пленка силицида Yb. Получены данные о морфологии и фазовом составе пленки силицида, электронном состоянии атомов Si и валентности атомов Yb в силициде и 2D-структурах, а также об атомном строении этих структур. Установлен компонентный состав Si 2p-спектров при различных покрытиях. Выявлена взаимосвязь формы этих спектров, полученных для многослойных пленок силицида Yb, с фазовым составом последних. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям РФ (госконтракт N 02.434.11.2027), Санкт-Петербургского научного центра РАН (инициативный проект N 2.3) и Российско-германской лаборатории на синхротроне BESSY II (Берлин, Германия). PACS: 68.35.Dv, 81.15.Np
  • F.P. Netzer. J. Phys.: Cond. Matter 7 991 (1995)
  • P. Segovia, D. Purdie, M. Hengsberger, Y. Baer. Nature 402, 504 (1999)
  • C. Bonet, I.M. Scott, D.J. Spence, T.J. Wood, T.C.Q. Noakes, P. Bailey, S.P. Tear. Phys. Rev. B 72, 165 407 (2005)
  • M. Kuzmin, R.E. Perala, P. Laukkanen, R.-L. Vaara, M.A. Mittsev, I.J. Vayrynen. Appl. Surf. Sci. 214, 196 (2003)
  • M.V. Katkov, J. Nogami. Surf. Sci. 524, 129 (2003)
  • Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 256 (1997)
  • Д.В. Вялых, М.В. Кузьмин, М.А. Митцев, С.Л. Молодцов. Письма в ЖТФ 30, 41 (2004)
  • Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 1672 (1997)
  • J.J. Yeh, I. Lindau. Atom. Data Nucl. Data Tabl. 32, 1 (1985)
  • C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
  • E. Landemark, C.J. Karlsson, Y.-C. Chao, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. Lett. 69, 1588 (1992)
  • М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.Р. Галль, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых. ФТТ 45, 1519 (2003)
  • М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.Р. Галль, С.Л. Молодцов, Д.В. Вялых. Письма в ЖТФ 29, 25 (2003)
  • М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 1 (2004)
  • C.-P. Cheng, I.-H. Hong, T.-W. Pi. Phys. Rev. B 58, 4066 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.