Вышедшие номера
Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS
Головин Ю.И.1, Моргунов Р.Б.1, Баскаков А.А.1, Шмурак С.З.2
1Тамбовский государственный университет, Тамбов, Россия
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Обнаружено, что после экспозиции монокристаллов ZnS с микродвойниками в магнитном поле с индукцией 1-10 T интегральная яркость электролюминесценции возрастает в несколько раз. Предполагается, что магнитное поле способствует релаксации метастабильного состояния структурных дефектов.
  1. В.И. Клименко, С.А. Омельченко, С.З. Шмурак. ФТТ 30, 6, 1803 (1988)
  2. В.И. Клименко, А.М. Мурадян, А.В. Соловьев, С.З. Шмурак. ФТТ 33, 4, 562 (1991)
  3. G. Destriau. Phil. Mag. 7, 38, 700 (1947)
  4. A.N. Ince. Proc. Phys. Soc. (London) B67, 870 (1954)
  5. В. Пайпер, Ф. Вильямс. УФН 70, 4, 621 (1960)
  6. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 2, 467 (1987)
  7. В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, О.Л. Казакова. ЖЭТФ 111, 2, 615 (1997)
  8. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 61, 7, 583 (1995)
  9. Yu.I. Golovin, R.B. Morgunov. Chemistry reviews. Harwood 24, (1998)
  10. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов. Изв. вузов. Физика 4, 117 (1998)
  11. М.Н. Левин, Б.А. Зон. ЖЭТФ 111, 4, 1373 (1997)
  12. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ЖЭТФ 112, 12, 1232 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.