Методом рентгеновской дифракции изучена дефектная структура выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений сверхрешеток (СР) AlGaN/GaN и слоев GaN до и после имплантации ионов эрбия с энергией 1 MeV и дозой 3·10¹⁵ cm^-2, а также после отжига. В СР с общей толщиной больше глубины имплантации при температуре отжига выше 900^oC пропадают сателлиты от деформированной части СР, возникшей в зоне действия ионов, т. е. радиационные дефекты, вызывающие положительную деформацию слоя, отжигаются. Однако полного восстановления исходного состояния не происходит даже после отжига при 1050^oC, а остающиеся области с положительной деформацией обусловлены остаточными дефектами. Для образцов с тонкими СР, глубина локализации которых находится в области максимума радиационных нарушений, периодическая структура, исчезнувшая после имплантации с дозой 3·10¹⁵ cm^-2, не восстанавливается даже после отжига при 1050^oC, что следует из вида дифракционных кривых. Этот вывод подтверждается электронно-микроскопическими наблюдениями. Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 03-02-16164), Президиумом РАН (Комплексная программа научных исследований Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры") и Отделением физических наук РАН (Научная программа "Новые материалы и структуры"). PACS: 61.72.Dd, 61.72.Ff

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.