Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Статистика электронов в полупроводниковых кристаллах CdF2 c DX-центрами
Казанский С.А.1, Рыскин А.И.1
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Kazanski@SK7936.spb.edu
Поступила в редакцию: 13 декабря 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
Степень компенсации и энергия ионизации двухэлектронных DX-центров в полупроводниках CdF2:In и CdF2:Ga определены при исследовании статистического распределения электронов на примесных уровнях. Резкая температурная зависимость концентрации нейтральных доноров для CdF2:Ga (в диапазоне температур T=250-400 K) объяснена высокой степенью компенсации K>=q 0.996. Таким образом, все ионы Ga, внедренные в кристаллическую решетку CdF2 при выращивании кристалла, образуют мелкие донорные уровни. Однако концентрация ионов Ga, которые способны образовать бистабильные DX-центры, весьма мала и близка к концентрации электронов, инжектированных в кристалл при аддитивном окрашивании. Экспериментальные данные для кристалла CdF2:In указывают на меньшую, чем для CdF2:Ga, но достаточно высокую степень компенсации и не свидетельствуют об ограниченном числе бистабильных DX-центров. Сделан вывод о формировании в полупроводниковом CdF2:Ga необычайно узкой примесной зоны. При общей концентрации заряженной примеси ~ 1020 cm-3 ширина примесной зоны в CdF2:Ga, по-видимому, не превышает ~ 0.02 eV. Работа выполнена при поддержке Международного научно-технического центра (грант N 2136). PACS: 71.20.Nr, 61.72.Ji
- P.F. Weller. Inorg. Chem. 4, 1545 (1965); 5, 739 (1966)
- Crystals with the Fluorite Structure / Ed. W. Hayes. Claredon Press, Oxford (1974)
- F. Moser, D. Matz, S. Lyu. Phys. Rev. 182, 808 (1969)
- T.H. Lee, F. Moser. Phys. Rev. B 3, 347 (1971)
- J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B. Krukowska-Fulde, U. Piekara. Phys. Stat. Sol. (b) 66, 537 (1974)
- B.J. Feldman, P.S. Pershan. Solid State Commun. 11, 1131 (1972)
- P. Eisenberger, P.S. Pershan, D.R. Bosomworth. Phys. Rev. 188, 1197 (1969)
- M.G. Adlerstein, P.S. Pershan, B.J. Feldman. Phys. Rev. B 4, 3402 (1971)
- R.P. Khosla, D. Matz. Solid State Commun. 6, 859 (1972)
- R.P. Khosla. Phys. Rev. 183, 695 (1969)
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Solids. Claredon Press, Oxford (1979)
- И.И. Сайдашев, Е.Ю. Перлин, А.И. Рыскин, А.С. Щеулин. ФТП 39, 535 (2005)
- A.S. Shcheulin, A.I. Ryskin, K. Swiatek, J.M. Langer. Phys. Lett. A 222, 107 (1996)
- S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, V.V. Romanov. Appl. Phys. Lett. 70, 1272 (1997); ФТТ 39, 1205 (1997)
- А.И. Рыскин, П.П. Федоров. ФТТ 39, 1050 (1997)
- S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, R.A. Linke, A.E. Angervaks. Physica B 308--310, 1035 (2001)
- C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett. 82, 113 (1999)
- F. Trautweller, F. Moser, R.P. Khoshla. J. Phys. Chem. Sol. 29, 1869 (1968)
- I. Kunze, W. Ulrici. Phys. Stat. Sol. (b) 55, 567 (1973)
- J.E. Dmochowski, W. Jantsch, D. Dobosz, J.M. Langer. Acta Phys. Polon. A 73, 247 (1988)
- A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, B. Koziarska, J.M. Langer, A. Suchocki, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. Appl. Phys. Lett. 67, 31 (1995)
- A.I. Ryskin A.S. Shcheulin, E.V. Miloglyadov, R.A. Linke, I. Redmond, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. J. Appl. Phys. 83, 2215 (1998)
- R.A. Linke, A.S. Shcheulin, I.I. Buchinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev. Appl. Phys. B (Laser and Optics) 72, 677 (2001)
- J.E. Dmochowski, W. Jantsch, J.M. Langer. Acta Phys. Polonica A 73, 179 (1988)
- В.В. Каспаров, А.А. Волков, А.И. Ритус. Изв. РАН. Сер. физ. 66, 12, 1817 (2002); 67, 1763 (2003)
- W. Shockley. Electrons and holes in semiconductors. Toronto--New York--London (1950). [В. Шокли. Электронная теория полупроводников. ИЛ, М. (1953)]
- П.П. Федоров, И.И. Бучинская, С.П. Иванов, Б.П. Соболев, А.С. Щеулин, А.И. Рыскин. Оптика и спектроскопия 92, 1, 133 (2002)
- Л.В. Келдыш, Г.П. Прошко. ФТТ 5, 3378 (1963)
- В.С. Багаев, Ю.Н. Берозашвили, Б.М. Вул, Э.И. Заварицкая, Л.В. Келдыш, А.П. Шотов. ФТТ 6, 1399 (1964)
- В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
- P. Eisenberger, P.S. Pershan. Phys. Rev. 167, 292 (1968)
- P. Ruterana, G. Nouet, W. Van der Stricht, I. Moerman. Appl. Phys. Lett. 72, 1742 (1998)
- Л. Полинг. Общая химия. Наука, М. (1974)
- С.А. Казанский, А.И. Рыскин. ФТТ 44, 1356 (2002); S.A. Kazanskii, D.S. Rumyantsev, A.I. Ryskin. Phys. Rev. B 65, 165 214 (2002)
- J. Serre, A. Shazali. Phys. Rev. B 28, 4704 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
