Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Комбинационное рассеяние света в приповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора

Авакянц Л.П.¹, Горелик В.С.¹, Темпер Э.М.¹, Щербина С.М.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: Avakyants@Soft

Поступила в редакцию: 13 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы закономерности в спектрах комбинационного рассеяния света приповерхностных слоев n-GaAs (n=2· 10¹⁸ cm^-3) при имплантации ионов B⁺ с энергией 100 keV в диапазоне доз 3.1· 10¹¹-1.2· 10¹⁴ cm^-2. На основе предложенной методики анализа спектров комбинационного рассеяния света, зарегистрированных при комнатной температуре, получены качественные и количественные данные о концентрации носителей, их подвижности, а также о степени аморфизации кристаллической решетки и параметрах нанокристаллической фазы в процессе ионной имплантации.

K.K. Tiong, P.M. Amirtharaj, F.H. Pollak, D.E. Aspnes. Appl. Phys. Lett. 44, 1, 122 (1984)
M. Holtz, R. Zallen, O.Brafman, S. Matteson. Phys. Rev. B37, 9, 4609 (1987)
M. Gargouri, B. Prevot, C. Schwab. J. Appl. Phys. 62, 9, 3902 (1987)
Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, И.А. Китов, А.В. Червяков. ФТТ 35, 5, 1354 (1993)
Рассеяние света в твердых телах / Под ред. М. Кардоны, М. Гюнтеродта. В. 4. Мир, М. (1986)
H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Solid State Commun. 39, 625 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель