Вышедшие номера
Поверхностная диффузия Ni на Si(111) при коадсорбции Co
Долбак А.Е.1, Ольшанецкий Б.З.1, Тийс С.А.1, Жачук Р.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии исследовано влияние коадсорбции Co и Ni на структуру поверхности Si(111) и диффузию адсорбированных атомов. Установлено, что при коадсорбции Ni и Co на поверхности Si(111) формируются поверхностные структуры, подобные структурам, образующимся при адсорбции только Co. Обнаружено, что на поверхности Si(111) с субмонослойными концентрациями Co в диапазоне температур 500-750oC резко возрастает вклад поверхностной диффузии в транспорт атомов Ni по сравнению с чистой поверхностью, где основным механизмом переноса Ni вдоль поверхности является диффузия его атомов через объем Si.
  1. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). 384 с
  2. Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. Энергоиздат, М. (1984). 124 с
  3. J. Yuhara, R. Ishigami, K. Morita. Surface Sci. 326, 1, 133 (1995)
  4. H. Daimon, C. Chung, S. Ino, Y. Watanabe. Surface Sci. 235, 1, 142 (1990)
  5. I. Homma, Y. Tanishiro, K. Yagi. Surface Sci. 242, 1, 81 (1991)
  6. Y.L. Gavrilyuk, V.G. Lifshits, N. Enebish. Surface Sci. 297, 2, 345 (1993)
  7. A.V. Zotov, S.V. Ryzhkov, V.G. Lifshits. Surface Reviews and Letters 1, 2/3, 285 (1994)
  8. A. Vantomme, M.F. Wu, G. Langouche, J. Tavares, H. Bender. Nuclear Inst. Meth. in Phys. Res. Sect. B106, 2, 404 (1995)
  9. S. Hong, C. Porri, P. Wetzel, G. Gewinner. Phys. Rev. B55, 19, 13040 (1997)
  10. X.N. Li, Z. Zhang, C. Dong, Z.X. Gong, T.C. Ma, S. Jin. Thin Solid Films 304, 1--2, 196 (1997)
  11. D. Mangelinck, L. Wang, C. Lin, P. Gas, J. Grahn, M. Oestling. J. Appl. Phys. 83, 8, 4193 (1998)
  12. P.W. Palmberg, G.E. Riach, R.E. Weber, N.C. Mac-Donnald. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Phys. Elek. Ind. Inc., Minnesota (1972)
  13. J.W. Ridgway, D. Haneman. Surface Sci. 26, 2, 687 (1971)
  14. N. Cherief, R. Cinti, M. De Crescenzi, J. Derrien, T.A. Nguyen Tan, J.Y. Veuillen. Appl. Surf. Sci. 41/42, 241 (1989)
  15. A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.I. Stenin, S.A. Teys, T.A. Gavrilova. Surface Sci. 218, 1, 37 (1989)
  16. A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys. Surface Sci. 373, 1, 43 (1997)
  17. J.G. Clabes. Surface Sci. 145, 1, 87 (1984)
  18. A.J. Van Bommel, F. Meyer. Surface Sci. 8, 1--2, 467 (1967)
  19. Eicke R. Weber. Appl. Phys. A30, 1, 1 (1983)
  20. А.Е. Долбак, Б.З. Ольшанецкий, С.А. Тийса, Р.А. Жачук. Письма в ЖЭТФ 66, 9 611 (1977)
  21. М.К. Бахадырканов, Б.И. Болтакс, Г.С. Куликов. ФТТ 12, 1, 181 (1970); [Sov. Phys. Solid State 12, 1, 144 (1970)]
  22. H. Kitagava, K. Hashimoto. Jpn. J. Appl. Phys. 16, 1, 173 (1977)
  23. M.Y. Lee, P.A. Bennett. Phys. Rev. Lett. 75, 24, 4460 (1995)
  24. A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.I. Stenin, S.A. Teys. Surface Sci. 247, 1, 32 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.