Издателям
Вышедшие номера
Переходные и редкоземельные элементы в широкозонных полупроводниках SiC и GaN: последние исследования ЭПР
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Ivan.Ilyin@pop
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Работа посвящена исследованиям электронного парамагнитного резонанса ионов переходных элементов в SiC и GaN и эрбия в 6H--SiC. Представлены данные по ионам Sc2+ и акцепторам скандия, по ионам хрома, молибдена в разных зарядовых состояниях в SiC. Изучены никель и марганец в номинально чистом GaN, выращенном сублимационным сэндвич-методом. Впервые исследован ЭПР эрбия в 6H--SiC. Эрбий идентифицирован по сверхтонкой структуре спектров ЭПР. Обсуждаются возможные модели эрбиевых центров в карбиде кремния. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия при комнатной температуре.
  • П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.А. Храмцов. ФТТ 39, 1, 52 (1997)
  • P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  • J. Baur, M. Kunzer K.F. Dombrowski, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 12, 933 (1997)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid Stat. Commun. 101, 8, 611 (1997)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid Stat. Commun. 103, 5, 291 (1997)
  • П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Б. Певцов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 1, 38 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.