Вышедшие номера
Переходные и редкоземельные элементы в широкозонных полупроводниках SiC и GaN: последние исследования ЭПР
Баранов П.Г.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Храмцов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Ivan.Ilyin@pop
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Работа посвящена исследованиям электронного парамагнитного резонанса ионов переходных элементов в SiC и GaN и эрбия в 6H--SiC. Представлены данные по ионам Sc2+ и акцепторам скандия, по ионам хрома, молибдена в разных зарядовых состояниях в SiC. Изучены никель и марганец в номинально чистом GaN, выращенном сублимационным сэндвич-методом. Впервые исследован ЭПР эрбия в 6H--SiC. Эрбий идентифицирован по сверхтонкой структуре спектров ЭПР. Обсуждаются возможные модели эрбиевых центров в карбиде кремния. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия при комнатной температуре.
  1. П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.А. Храмцов. ФТТ 39, 1, 52 (1997)
  2. P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  3. J. Baur, M. Kunzer K.F. Dombrowski, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 12, 933 (1997)
  4. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid Stat. Commun. 101, 8, 611 (1997)
  5. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid Stat. Commun. 103, 5, 291 (1997)
  6. П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Б. Певцов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 1, 38 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.