Издателям
Вышедшие номера
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: наука и приложения
Шлимак И.С.1
1Jack and Pearl Resnick Institute of Advanced Technology, Department of Physics, Bar-Ilan University, Ramat-Gan, Israel
Email: issai@physnet.ph.biu.ac.il
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Рассмотрены различные аспекты технологии нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) кремния (Si) и германия (Ge) причем особое внимание уделено вкладу в решение этих проблем ученых Физико-технического института им. А.Ф..Иоффе РАН. Обсуждаются вопросы фундаментальных исследований по определению сечений захвата тепловых нейтронов изотопами полупроводниковых материалов, отжига радиационных дефектов, вводимых быстрыми реакторными нейтронами, использования метода НТЛ для изучения структуры примесной зоны Ge. Обсуждаются проблемы получения НТЛ-Si в промышленных масштабах и применения НТЛ-Si и НТЛ-Ge в производстве мощных тиристоров, детекторов ядерных частиц, инфракрасного излучения, глубоко охлаждаемых термисторов и болометров. В заключение обсуждаются дальнейшие перспективы применения НТЛ-Si и НТЛ-Ge, основанные на использовании материалов с контролируемым искусственно-измененным изотопным составом.
  • K. Lark-Horovitz. In: Proceedings of the Conference on Semi-Conducting Materials / Ed. by H.K. Henish. Butterworth, London (1951). P. 47; [Полупроводниковые материалы / Под ред. В.М. Тучкевича. ИЛ, М. (1954). С. 62]
  • Neutron transmutation doping in semiconductors / Ed. by J. Meese. Plenum Press, N. Y.--London (1979); [Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Мир, М. (1982)]; Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Под ред. Л.С. Смирнова. Наука, Новосибирск (1981)
  • M.S. Schnoller. IEEE Trans. Electron. Devices ED-21, 313 (1974)
  • И.Н. Воронов, А.Н. Ерыкалов, Е.И. Игнатенко, М.Л. Кожух, М.А. Лютов, Ю.В. Петров, В.М. Тучкевич, И.С. Шлимак. А. с. СССР N 1063872 (1982)
  • H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev. 119, 1238 (1960)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  • N.F. Mott. Metal-Insulator Transition. Taylor \& Francis, London (1990). 2nd ed
  • И.С. Шлимак. А. с. СССР N 437931 (1972)
  • E.E. Haller. Infrared Phys. Technol. 35, 127 (1994)
  • Low Temperature Detectors for Neutrinos and Dark Matter IV / Ed. by N.E. Both and G.L. Salmon. Oxford (1991)
  • T. Shutt et al. Phys. Rev. Lett. 69, 3531 (1992)
  • А.Г. Забродский. Письма в ЖЭТФ 33, 258 (1981)
  • E.E. Haller et al. In: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials Ed. by R.D. Larrbee. Plenum, N. Y. (1984). P. 21
  • А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, Д.В. Шмикк. ЖТФ 59, 169 (1989)
  • В.А. Харченко, С.П. Соловьев. ФТП 5, 1641 (1971)
  • I. Shlimak, A.N. Ionov, R. Rentzsch, J.M. Lazebnik. Semicond. Sci. Technol. 11, 1826 (1996)
  • J.W. Coebett, G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors. Plenum, N. Y. (1971)
  • М.Л. Кожух, И.С. Шлимак, В.В. Федоров, Е.С. Юрова. Письма в ЖТФ 11, 129 (1985)
  • В.М. Волле, В.Б..Воронков, И.В..Грехов, А.Н. Ерыкалов, М.Л. Кожух, В.А. Козлов, Ю.В. Петров, Н.А. Соболев, В.М. Тучкевич, В.Е. Челноков, И.С. Шлимак. Электротехника 3, 34 (1984)
  • И.С. Шлимак, В.В. Емцев. Письма в ЖЭТФ 13, 153 (1971)
  • Ю.А. Осипян, В.М. Прокопенко, В.И. Тальянский. ЖЭТФ 60, 156 (1984)
  • И.С. Шлимак, Л.И. Зарубин, А.Н. Ионов, Ф.М. Воробкало, А.Г. Забродский, И.Ю. Немиш. Письма в ЖТФ 9, 377 (1983)
  • R. Rentzsch, A.N. Ionov, Ch. Reich, M. Muller, B. Sandow, P. Fozooni, M.J. Lea, V. Ginodman, I. Shlimak. Phys. Stat. Sol (b) 205, 269 (1998)
  • K.V. Itoh, E.E. Haller, W.L. Hansen, J.W. Beeman, A. Rudnev, A. Tiknomirov, V.I. Ozhogin. Appl. Phys. Lett. 64, 2121 (1994)
  • E.E. Haller. J. Appl. Phys. 77, 2857 (1995)
  • E.E. Haller. Semicond. Sci. Technol. 5, 319 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.