Издателям
Вышедшие номера
Радиоспектроскопия широкозонных полупроводников: SiC и GaN
Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Baranov@pop.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Доклад на юбилейной конференции ФТИ им. А.Ф.Иоффе "Physics at the Turn of the 21st Century" посвящен последним исследованиям методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) основных примесей в широкозонных полупроводниках SiC и GaN, которые весьма вероятно являются наиболее перспективными материалами для микроэлектроники и квантовой полупроводниковой электроники на пороге 21 века.
  1. H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
  2. А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ 27, 2, 322 (1985)
  3. Н.П. Баран, В.Я. Братусь, А.А. Бугай, В.С. Вихнин, А.А. Климов, В.М. Максименко, Т.Л. Петренко, В.В. Романенко. ФТТ 35, 3135 (1993) и ссылки в ней
  4. K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
  5. П.Г. Баранов, В.А. Ветров, Н.Г. Романов и В.И. Соколов. ФТТ 27, 3459 (1985); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Applied Magnetic Resonance 2, 361 (1991); P.G. Baranov, N.G. Romanov. Materials Science Forum 83--87, 1207 (1992)
  6. J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Solid State Commun 96, 835 (1996)
  7. T. Matsumoto, O.G. Poluektov, J. Schmidt, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Rev. B55, 2219 (1997--II)
  8. Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП 26, 9, 1556 (1992)
  9. R. Mueller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
  10. T.L. Petrenko, A.A. Bugai, V.G. Baryakhtar, V.V. Teslenko, V.D. Khavryutchenko. Semicond. Sci. Technol. 9, 1849 (1994)
  11. P.G. Baranov. Defect and Diffusion Forum. Journal of the Defect Solid State. Scitec Publication Ltd, Trans Tech Group of Publishers, 148--149, p. 129--160. (1997), and references therein
  12. P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 11, 489 (1996)
  13. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 100, 371 (1996)
  14. A.v. Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B57, 1607 (1998--I)
  15. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ 38, 5, 147 (1996)
  16. A. Hofstaetter, B.K. Meyer, A. Scharmann, P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Materials Science Forum 264--268, 595 (1998)
  17. П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, В.А. Храмцов. ФТТ 39, 1, 52 (1997)
  18. K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
  19. K. Maier, H.D. Mueller, J. Schneider. Materials Science Forum 83--87, 1183 (1992)
  20. K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143--147, 93 (1994)
  21. P.G. Baranov, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  22. K.F. Dombrowski, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Phys. Rev. B54, 7323 (1996-II)
  23. J. Baur, M. Kunzer, K.F. Dombrowski, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 12, 933 (1997)
  24. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 101, 611 (1997)
  25. П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 5, (1999)
  26. P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 103, 291 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.