Влияние рентгеновского облучения на внутреннее трение в кремнии
Кулиш Н.П.1, Максимюк П.А.1, Мельникова Н.А.1, Онанко А.П.1, Струтинский А.М.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.
Изучалось влияние gamma-облучения на температурные зависимости внутреннего трения в дискообразных подложках кремния в килогерцевом диапазоне частот. После облучения дозами 104 и 105 R обнаружены два доминирующих максимума внутреннего трения при ~330 и ~450 K с энергией активации H1=0.6 eV и H2=0.9 eV соответственно, обусловленные, по-видимому, переориентацией междоузельных атомов кремния в гантельных конфигурациях.
- П.А. Максимюк, А.В. Фомин, В.А. Глей, А.П. Онанко, Р.И. Дячук, М.Ю. Кравецкий. ФТТ 30, 9, 2868 (1988)
- Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках. Наука, Новосибирск (1977). 255 с
- С.П. Никаноров, Б.К. Кардашев. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. Наука, М. (1985). 253 с
- Л.Н. Александров, М.И. Зотов. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Наука, Новосибирск (1979). 158 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
