Издателям
Вышедшие номера
Эволюция дислокационной структуры при деформировании gamma-облученных кристаллов LiF
Смирнов Б.И.1, Орлова Т.С.1, Самойлова Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Изучалось влияние gamma-облучения на механические характеристики и дислокационную структуру полос скольжения кристаллов LiF при дозах облучения D=< 7.3· 108 R. Оказалось, что в результате облучения происходит значительное (до 30 раз) увеличение предела текучести кристаллов tauy, причем в первом приближении tauy~ D0.4. В полосах скольжения облученных кристаллов возрастают деформационный сдвиг, а также плотности винтовых и краевых компонент дислокаций, в то время как длина пробега дислокаций уменьшается. По мере облучения повышается и вероятность двойного поперечного скольжения винтовых дислокаций. Считается, что наблюдаемые эффекты связаны с образованием в облученных кристаллах различного рода дефектов, в первую очередь кластеров внедренных атомов.
  • Б.И. Смирнов. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л. (1981). 235 с
  • Р.П. Житару, О.В. Клявин, Б.И. Смирнов. Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, 3, 15 (1972)
  • B.I. Smirnov, B.A. Efimov. Phys. Stat. Sol. 16, 1, 191 (1966)
  • Т.В. Самойлова, Б.И. Смирнов. ФТТ 23, 8, 2311 (1981)
  • Х.Й. Кауфманн, С.В. Лубенец, Т.В. Самойлова, Б.И. Смирнов. ФТТ 37, 8, 2370 (1995)
  • В.А. Закревский, Т.С. Орлова, А.В. Шульдинер. ФТТ 37, 3, 675 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.