Спектры внутризонной люминесценции диэлектриков и полупроводников, возбуждаемых импульсными пучками электронов или электрическим полем
Савихин Ф.А.1, Васильченко В.П.2
1Институт физики Академии наук Эстонии, EE Тарту, Эстония
2Тартуский университет, EE Тарту, Эстония
Поступила в редакцию: 18 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
В температурном интервале 80-760 K выявлены особенности спектров внутризонной люминесценции широкощелевых диэлектриков (KI, KBr, CsCl и др.) и полупроводников (GaP, CdS, alpha-SiC и ZnS). Спектры внутризонной люминесценции сопоставлены со спектрами предпробойной электролюминесценции поверхностно-барьерных диодных структур GaP и alpha-SiC и электролюминесцентного индикатора с пленкой ZnS. В щелочно-галоидных кристаллах коротковолновая граница внутризонной люминесценции hnum меньше ширины запрещенной зоны Eg и определяется сложными экситонными процессами. В полупроводниках с непрямыми переходами hnum>Eg. Различия в спектрах внутризонной люминесценции и внутризонной предпробойной электролюминесценции объясняются разным распределением горячих носителей заряда по уровням разрешенных зон и разной максимальной энергией носителей, участвующих в формировании спектров.
- Д.И. Вайсбурд, Б.Н. Семин, Э.Г. Таванов и др. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Наука, Новосибирск (1982). 227 с
- Д.И. Вайсбурд, Б.Н. Семин. Изв. РАН. Сер. физ. 56, 2, 103 (1992)
- В.В. Мюрк. Тр. ИФ АН ЭССР 53, 122 (1982)
- И.В. Битов, Ф.А. Савихин. Тр. ИФ АН ЭССР 61, 93 (1987)
- К.У. Ибрагимов, Ф.А. Савихин. ФТТ 35, 6, 1474 (1993)
- A. Lushchik, E. Feldbach, A. Frorip, K. Ibragimov, F. Savikhin, Ch. Lushchik. J. Lumin. 63, 273 (1995)
- Э.Д. Алукер, В.В. Гаврилов, Р.Г. Дейч, С.А. Чернов. Письма в ЖЭТФ 47, 2, 116 (1988)
- Д.И. Вайсбурд, П.А. Пальянов, Б.Н. Семин. ДАН 333, 4, 452 (1993)
- Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик, Е.А. Васильченко, Ф.А. Савихин. ФТТ 37, 2, 525 (1995)
- И.В. Битов, И.А. Мерилоо, Ф.А. Савихин. Тр. ИФ АН ЭССР 67, 7 (1990)
- Ч.Б. Лущик, Ф.А. Савихин, Е.Х. Фельдбах, И.А. Мерилоо. ФНТ 17, 10, 687 (1991)
- R. Neuman. Phys. Rev. 100, 2, 700 (1995)
- Л.А. Косяченко. ЖТФ 52, 4, 779 (1982)
- Л.А. Косяченко. Учен. зап. ТГУ 665, 12 (1983)
- Э.Р. Ильмас, Ч.Б. Лущик. Тр. ИФ АН ЭССР 34, 5 (1965)
- A. Lushchik, Ch. Lushchik, F. Savikhin, E. Vasil'chenko. Rad. Effects and Defects in Solids 135, 263 (1995)
- Н.Е. Лущик, А.А. Маароос, О.А. Никифорова, А.Г. Фрорип, Н.А. Яансон. Тр. ИФ АН ЭССР 61, 7 (1987)
- Разработка и применение источников интенсивных электронных пучков / Под ред. Г.А. Месяца. Новосибирск (1976). 235 с
- T. Tomiki, T. Miyata, H. Tsukamoto. Z. Naturforsch. 29a, 1, 145 (1974)
- M.N. Kabler. Phys. Rev. 136, 5A, 1296 (1964)
- I.M. Blair, D. Pooley, D. Smith. J. Phys. C: Solid State Phys. 5, 12, 1537 (1972)
- A. Lushchik, E. Feldbach, R. Kink, Ch. Lushchik, M. Kirm, I. Martinson. Phys. Rev. B53, 9, 5379 (1996)
- R.T. Williams, M.N. Kabler. Solid State Commun. 10, 1, 49 (1972)
- Lu Yi, Sah Chih-Tang. Phys. Rev. B52, 8, 5657 (1995)
- В.С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники. М. (1963). С. 78
- A.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev. 102, 2, 369 (1956)
- Г.Ф. Холуянов. ФТТ 3, 11, 3314 (1961)
- В.П. Васильченко, Л.Л. Матизен, М.А. Войханский. Учен. зап. ТГУ 779, 32 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук