Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs
Батырев А.С.1, Джамбинов В.В., Чередниченко А.Е.
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Исследованы контуры экситонного отражения света кристаллов GaAs, подвергнутых поверхностно-чувствительной электронной бомбардировке. Обнаружены особенности, которые на качественном уровне можно объяснить с использованием простейшей аппроксимации приповерхностного экситонного потенциала потенциальной ямой прямоугольной формы.
- J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 2, 563 (1963)
- D.D. Sell, S.E. Stokowski, R. Dingle, J.V. DiLorenzo. Phys. Rev. B7, 10, 4568 (1973)
- F. Evangelisti, A. Frova, F. Patella. Phys. Rev. B10, 10, 4253 (1974)
- S. Sakoda. J. Phys. Soc. Jap. 40, 1, 152 (1976)
- I. Balslev. Phys. Stat. Sol. (b) 88, 1, 155 (1978)
- J. Lagois, E. Wagner, W. Bludau, K. Losch. Phys. Rev. B18, 8, 4325 (1978)
- J.U. Fischbach, W. Ruhle, D. Bimberg, E. Bauser. Solid State Commun. 18, 9/10, 1755 (1976)
- L. Schultheis, I. Balslev. Phys. Rev. B28, 4, 2292 (1983)
- L. Schultheis, J. Lagois. Phys. Rev. B29, 12, 6784 (1984)
- J. Lagois. Phys. Rev. B23, 10, 5511 (1981)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 162 с
- А.С. Батырев, В.В. Джамбинов, Т.Т. Лаврищев, И.Т. Лаврищева, Б.С. Лиджиев. Тез. докл. 12-го Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Киев (Октябрь 1990). Ч. 2. С. 288--289
- F. Perez-Rodriguez, P. Halevi. Phys. Rev. B45, 20, 1184 (1993)
- F. Perez-Rodriguez, P. Halevi. Phys. Rev. B53, 15, 10086 (1996)
- А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, А.В. Селькин. ФТТ 35, 11, 3099 (1993)
- А.С. Батырев, Б.В. Новиков, А.В. Селькин. Письма в ЖЭТФ 61, 10 (1995)
- А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, А.В. Селькин, Л.Н. Тенищев. Письма в ЖЭТФ 62, 5, 397 (1995)
- Б.В. Новиков, Г.В. Бенеманская, А.Е. Чередниченко. ПТЭ 2, 216 (1976); B.V. Novikov, G.V. Benemanskaya, A.E. Cherednichenko. Cryogenics. November (1976)
- A.E. Cherednichenko, V.A. Kiselev. Prog. Surf. Sci. 36, 3, 179 (1991)
- А.Б. Новиков, Б.В. Новиков, Г. Роппишер, А.В. Селькин, Н. Штейн, Р.Б. Юферов. Письма в ЖЭТФ 64, 1, 38 (1996)
- В.А. Киселев. ФТТ 20, 7, 2173 (1978)
- А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ 4, 2 (11), 77 (1996)
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. Наука, М. (1988). 191 с
- С. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений 3 и 5 групп. Мир, М. (1967). 477 с
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.З. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981). 368 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук