Издателям
Вышедшие номера
Особенности контуров экситонного отражения света кристаллов GaAs
Батырев А.С.1, Джамбинов В.В., Чередниченко А.Е.
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия Научно-исследовательский институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Исследованы контуры экситонного отражения света кристаллов GaAs, подвергнутых поверхностно-чувствительной электронной бомбардировке. Обнаружены особенности, которые на качественном уровне можно объяснить с использованием простейшей аппроксимации приповерхностного экситонного потенциала потенциальной ямой прямоугольной формы.
  1. J.J. Hopfield, D.G. Thomas. Phys. Rev. 132, 2, 563 (1963)
  2. D.D. Sell, S.E. Stokowski, R. Dingle, J.V. DiLorenzo. Phys. Rev. B7, 10, 4568 (1973)
  3. F. Evangelisti, A. Frova, F. Patella. Phys. Rev. B10, 10, 4253 (1974)
  4. S. Sakoda. J. Phys. Soc. Jap. 40, 1, 152 (1976)
  5. I. Balslev. Phys. Stat. Sol. (b) 88, 1, 155 (1978)
  6. J. Lagois, E. Wagner, W. Bludau, K. Losch. Phys. Rev. B18, 8, 4325 (1978)
  7. J.U. Fischbach, W. Ruhle, D. Bimberg, E. Bauser. Solid State Commun. 18, 9/10, 1755 (1976)
  8. L. Schultheis, I. Balslev. Phys. Rev. B28, 4, 2292 (1983)
  9. L. Schultheis, J. Lagois. Phys. Rev. B29, 12, 6784 (1984)
  10. J. Lagois. Phys. Rev. B23, 10, 5511 (1981)
  11. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во ЛГУ, Л. (1987). 162 с
  12. А.С. Батырев, В.В. Джамбинов, Т.Т. Лаврищев, И.Т. Лаврищева, Б.С. Лиджиев. Тез. докл. 12-го Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Киев (Октябрь 1990). Ч. 2. С. 288--289
  13. F. Perez-Rodriguez, P. Halevi. Phys. Rev. B45, 20, 1184 (1993)
  14. F. Perez-Rodriguez, P. Halevi. Phys. Rev. B53, 15, 10086 (1996)
  15. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, А.В. Селькин. ФТТ 35, 11, 3099 (1993)
  16. А.С. Батырев, Б.В. Новиков, А.В. Селькин. Письма в ЖЭТФ 61, 10 (1995)
  17. А.С. Батырев, Н.В. Карасенко, А.В. Селькин, Л.Н. Тенищев. Письма в ЖЭТФ 62, 5, 397 (1995)
  18. Б.В. Новиков, Г.В. Бенеманская, А.Е. Чередниченко. ПТЭ 2, 216 (1976); B.V. Novikov, G.V. Benemanskaya, A.E. Cherednichenko. Cryogenics. November (1976)
  19. A.E. Cherednichenko, V.A. Kiselev. Prog. Surf. Sci. 36, 3, 179 (1991)
  20. А.Б. Новиков, Б.В. Новиков, Г. Роппишер, А.В. Селькин, Н. Штейн, Р.Б. Юферов. Письма в ЖЭТФ 64, 1, 38 (1996)
  21. В.А. Киселев. ФТТ 20, 7, 2173 (1978)
  22. А.В. Селькин. Вестн. СПбГУ 4, 2 (11), 77 (1996)
  23. В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники. Наука, М. (1988). 191 с
  24. С. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений 3 и 5 групп. Мир, М. (1967). 477 с
  25. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.З. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981). 368 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.