Издателям
Вышедшие номера
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле TlS
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2, Исмаилов А.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Обнаружено, что при температурах T=<q230 K в монокристаллах TlS поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. В области низких температур и сильных электрических полей в монокристаллах TlS установлено наличие безактивационной прыжковой проводимости. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=2.8·1020 eV-1·cm-3) и их энергетический разброс (Delta W=0.02 eV), радиус локализации (a=33 Angstrem), среднее расстояние прыжков в области активационной (Rav(T)=40 Angstrem) и безактивационной (Rav(F)=78 Angstrem) прыжковой проводимости, а также перепад потенциальной энергии носителей заряда на длине прыжка в электрическом поле F: eFR=0.006 eV при 7.5·103 V/cm и 0.009 eV при F=1.25·104 V/cm. PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht
  1. S. Kashida, K. Nakamura. J. Solid State Chem. 110, 264 (1994)
  2. В.П. Алыев, Ш.Г. Гасымов, Т.Г. Мамедов, Т.С. Мамедов, А.И. Наджафов, Мир-Гасан Ю. Сеидов. ФТТ 48, 2194 (2006)
  3. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с
  4. Б.И. Шкловский. ФТП 6, 2335 (1972)
  5. С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 30, 619 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.