Издателям
Вышедшие номера
Механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe с толстым слоем твердого раствора CdTe1-xSx
Исмоилов Х.Х.1, Абдугафуров А.М.1, Мирсагатов Ш.А.1, Лейдерман А.Ю.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: aabdugafurov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гетеросистемы p-CdTe/n-CdS. Результаты показывают, что на гетерогранице p-CdTe/n-CdS формируется высокоомный i-слой (твердый раствор CdTe1-xSx), который неоднороден не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов и установлено, что в промежуточном слое имеются области различного типа проводимости. Показано, что амбиполярные диффузия и дрейф в высокоомных твердых растворах CdTe1-xSx направлены навстречу друг другу, что приводит к появлению сублинейного участка ВАХ типа V=exp(Iaw). Наблюдение сублинейного участка ВАХ при прямом и обратном направлениях тока в широком диапазоне температур 77-323 K свидетельствует о том, что диффузионно-дрейфовый режим реализуется в различных частях i-слоя в зависимости от плотности тока и температуры окружающей среды. Изменение величин тока и емкости, а также формы вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик после ультразвукового облучения показывает, что в твердых растворах CdTe1-xSx имеются метастабильные состояния, которые в процессе ультразвукового облучения, вероятно, распадаются и затем вновь образуют твердые растворы с более стабильными состояниями. Работа выполнена в рамках гранта N 2Ф-032 Фонда поддержки фундаментальных исследований Академии наук Узбекистана. PACS: 73.40.Lq, 73.40.Ty
  1. С.А. Колесов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП 38, 473 (2004)
  2. T. Takahashi, Sh. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48, 950 (2001)
  3. M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett. 75, 3503 (1999)
  4. K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1641 (1973)
  5. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 915 (2005)
  6. Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Материалы конф. "Физика в Узбекистане". Ташкент (2005). С. 97
  7. S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. Ukr. J. Phys. 51, 1125 (2006)
  8. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов. Тр. конф. "Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2003). С. 363
  9. Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.А. Музафарова. ФТТ 49, 1111 (2007)
  10. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
  11. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  12. A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Solid State Commun. 25, 781 (1978)
  13. P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 36, 391 (1976)
  14. А.А. Абакумов, И.З. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП 10, 486 (1978)
  15. П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Фан, Ташкент (1981). 200 с
  16. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975). 432 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.