Издателям
Вышедшие номера
Механизм переноса тока в гетероструктурах n-CdS/p-CdTe с толстым слоем твердого раствора CdTe1-xSx
Исмоилов Х.Х.1, Абдугафуров А.М.1, Мирсагатов Ш.А.1, Лейдерман А.Ю.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: aabdugafurov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гетеросистемы p-CdTe/n-CdS. Результаты показывают, что на гетерогранице p-CdTe/n-CdS формируется высокоомный i-слой (твердый раствор CdTe1-xSx), который неоднороден не только по проводимости, но и по составу. По данным вольт-фарадных характеристик оценены толщины твердых растворов и установлено, что в промежуточном слое имеются области различного типа проводимости. Показано, что амбиполярные диффузия и дрейф в высокоомных твердых растворах CdTe1-xSx направлены навстречу друг другу, что приводит к появлению сублинейного участка ВАХ типа V=exp(Iaw). Наблюдение сублинейного участка ВАХ при прямом и обратном направлениях тока в широком диапазоне температур 77-323 K свидетельствует о том, что диффузионно-дрейфовый режим реализуется в различных частях i-слоя в зависимости от плотности тока и температуры окружающей среды. Изменение величин тока и емкости, а также формы вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик после ультразвукового облучения показывает, что в твердых растворах CdTe1-xSx имеются метастабильные состояния, которые в процессе ультразвукового облучения, вероятно, распадаются и затем вновь образуют твердые растворы с более стабильными состояниями. Работа выполнена в рамках гранта N 2Ф-032 Фонда поддержки фундаментальных исследований Академии наук Узбекистана. PACS: 73.40.Lq, 73.40.Ty
  • С.А. Колесов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников. ФТП 38, 473 (2004)
  • T. Takahashi, Sh. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48, 950 (2001)
  • M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. Appl. Phys. Lett. 75, 3503 (1999)
  • K. Ohata, J. Sarate, T. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1641 (1973)
  • Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорган. материалы 41, 915 (2005)
  • Ш.А. Мирсагатов, С.А. Музафарова. Материалы конф. "Физика в Узбекистане". Ташкент (2005). С. 97
  • S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov. Ukr. J. Phys. 51, 1125 (2006)
  • Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов. Тр. конф. "Фундаментальные и прикладные вопросы физики". Ташкент (2003). С. 363
  • Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов, С.А. Музафарова. ФТТ 49, 1111 (2007)
  • Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  • A.Yu. Leiderman, P.M. Karageorgy-Alkalaev. Solid State Commun. 25, 781 (1978)
  • P.M. Karageorgy-Alkalaev, I.Z. Karimova, P.I. Knigin, A.Yu. Leiderman. Phys. Status Solidi A 36, 391 (1976)
  • А.А. Абакумов, И.З. Каримова, П.И. Книгин, А.Ю. Лейдерман. ФТП 10, 486 (1978)
  • П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями. Фан, Ташкент (1981). 200 с
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975). 432 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.