Издателям
Вышедшие номера
Образование центров окраски в сильновозбужденных кристаллах KCl
Денисов И.П., Кравченко В.А., Яковлев В.Ю.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Методом оптической спектрометрии с временным разрешением изучено влияние плотности потока энергии импульсного электронного пучка (0.25 мэВ; 10 нc) в диапазоне значений P=(4·105/8·107) Вт·см-2 на эффективность образования центров окраски в кристалле КСl. Показано, что при 295 K число создаваемых за импульс F-центров изменяется прямо пропорционально P; выход F-центров в расчете на одну (e--p+) пару определен равным etaF=0.13±0. 02. При 80 K обнаружено снижение выхода F-центров с ростом P от 0.06±0.015 при P=2·106 Вт·см-2 до 0.027±0.01 при P=6·107 Вт·см-2. Установлено, что спад etaF с ростом P обусловлен подавлением процесса, создания коррелированных пар F- и H-центров при некотором увеличении выхода разделенных в пространстве дефектов. Предполагается, что причиной наблюдаемых в КСl при 80 K плотностных эффектов в дефектообразовании является конкуренция между "горячими" и релаксированными двух галоидными дырками в процессе рекомбинационного создания экситонов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.