Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe2
Одринский А.П.1
1Институт технической акустики НАН Белоруссии, Витебск, Белоруссия
Email: odra@mail333.com
Поступила в редакцию: 27 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 22 января 2014 г.

В систематических исследованиях кристаллов из различных технологических партий обнаружено пять электрически активных дефектов с энергией термоактивации перезарядки 0.1-0.7 eV. Обсуждаются особености их регистрации, связанные с наличием в материале сегнетоэлектрических свойств. Представлена найденная закономерность изменения с температурой энтальпии перезарядки дефекта, регистрируемого в окрестности фазового перехода. Работа выполнена в рамках гранта Белорусского фонда фундаментальных исследований N Ф11ЛИТ-008.
  • A.M. Panich. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 293 202 (2008)
  • С.Б. Вахрушев, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окуневa, К.Р. Аллахвердиев. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе N 886. Л. (1984)
  • D.F. McMorrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Cond. Matter., 2, 3699 (1990)
  • С.Г. Абдулаева, В.А. Алиев, Н.Т. Мамедов, М.К. Шейкман. ФТП, 17, 1787 (1983)
  • В.А. Алиев, Г.Д. Гусейнов. ФТП, 19, 1940 (1985)
  • В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 264 c
  • D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • Ho-Jun Song, Sang-Hyun Yun, Wha-Tek Kim. Solid State Commun. 94 3, 225 (1995)
  • Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978)
  • V. Grivickas, A. Odrinski, V. Bikbajevas, K. Gulbinas. Phys. Status Solidi B 250, 160 (2013)
  • A.P. Odrinsky, V. Grivickas, V. Bikbajevas, K. Gulbinas. Сб. материалов IV Междунар. конф. "Материалы и структуры современной электроники" Минск, Беларусь (2012) с. 63
  • И.А. Давыдов, А.П. Одринский. Электроника 11, 4 (1990)
  • А.П. Одринский. Сб. материалов V Междунар. конф. Полоцк, Беларусь (2008) c. 80
  • M.P. Hanias, A.N. Anagnostopoulos, K. Kambas, J. Spyridelis. Mater. Res. Bull. 27, 25 (1992)
  • A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. Mater. Res. Bull. 39, 1353 (2004)
  • J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D 19, 57 (1986)
  • Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел. ИЛ М. (1962). 560 с
  • A.П. Одринский, V. Grivickas, V. Bikbajevas, E.G. Samadli. Сб. статей VIII Белорусско-Российского семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе". Минск (2011) c. 221
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Мир, М. (1977). 562 c
  • M. Ichimura. Solid State Electronics 50, 1761 (2006)
  • А.А. Истратов, О.Ф. Вывенко. ФТП 29, 654 (1995)
  • A. Yelon, B. Movaghar, H.M. Branz. Phys. Rev. B 46, 12 244 (1992).
  • А. Chantre. Appl. Phys. A, 48, 3 (1989)
  • М.-Г. Сеидов, Р.А. Сулейманов, С.С. Бабаев, Т.Г. Мамедов, Г.М. Шарифов. ФТТ 20, 105 (2008)
  • P.M. Mooney. In: Identification of Defects in Semiconductors / Ed. by M. Stavola. Ser. Semiconductors and Semimetals. Academic Press, London (1999). V. 51B. P. 102.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.