Издателям
Вышедшие номера
Модифицирование диэлектрических свойств монокристалла CdIn2S4 при легировании медью
Мустафаева С.Н.1, Асадов М.М.2, Гусейнов Д.Т.1
1Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Изучение диэлектрических свойств монокристалла CdIn2S4 < 3 mol.% Cu> в переменных электрических полях частотой f = 5·104 - 3.5·107 Hz позволило установить природу диэлектрических потерь (релаксационные потери, сменяющиеся при высоких частотах потерями сквозного тока). Определено значение инкремента диэлектрической проницаемости Delta varepsilon'=123, а также частоты релаксации fr = 2.3 · 104 Hz и времени релаксации tau = 43 mus в CdIn2S4 <Cu>. Установлено, что легирование монокристалла CdIn2S4 медью (3 mol.%) приводит к существенному увеличению диэлектрической проницаемости (varepsilon'), тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigmaac). При этом частотная дисперсия varepsilon' и tg delta возрастает, а дисперсия sigmaac уменьшается.
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Д.Т. Гусейнов. Перспективные материалы 1, 45 (2010)
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Д.Т. Гусейнов. ЖТФ 81, 1, 144 (2011)
  • G. Attolini, C. Frigeri, V. Sagredo, M. Solzi, G. Delgado. Res. Technol. 46, 8, 761 (2011)
  • С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Д.Т. Гусейнов. Неорган. материалы 47, 8, 936 (2011)
  • V.R. Kozer, A. Fedorchuk, L.D. Olekseyuk, O.V. Parasyuk. J. Alloys Comp. 480, 360 (2009)
  • С.Н. Мустафаева. Журнал радиоэлектроники 5, 11 (2008)
  • В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.