Вышедшие номера
Об условиях существования "самораспространяющегося" заглубленного расплава
Карпов С.Ю.
Выставление онлайн: 19 июня 1991 г.

Предложена модель самораспространяющегося заглубленного расплава, возникающего при плавлении аморфных полупроводников наносекундными лазерными импульсами. Рассмотрены необходимые условия его существования. Показано, что скорость распространения заглубленного расплава ограничена сверху значением 14-16 м/с. Продемонстрирована связь характеристик расплава (скорость распространения, толщина) с кинетическими коэффициентами плавления и кристаллизации материала. Рассмотрена устойчивость заглубленного расплава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.