Рассмотрена зависимость температуры сверхпроводящего перехода от параметров системы в модели с двумерным электронным спектром. Исследуется случай косинусной дисперсии, для которого при полузаполненной зоне имеется логарифмическая особенность в плотности электронных состояний вблизи поверхности Ферми. Получены формулы, связывающие температуру перехода T_c с шириной электронной зоны и константой связи. Оказывается, что при одной и той же константе связи и экспериментальной величине ширины зоны эти формулы дают более высокое значение T_c, чем в случае классического сверхпроводника с изотропным трехмерным электронным спектром. Дана оценка влияния реальной трехмерности кристалла на поведение T_c; получено условие, при котором это влияние можно считать малым. Проведено сравнение с экспериментальными данными по лантановым и иттреевым сверхпроводникам.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.