Издателям
Вышедшие номера
Особенности возникновения сегнетоэлектрической фазы в политипах кристаллов TlGaSe2
Боровой Н.А.1, Гололобов Ю.П.2, Горб А.Н.1, Исаенко Г.Л.2
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2Национальный транспортный университет, Киев, Украина
Email: gololo@ukr.net
Поступила в редакцию: 11 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Обнаружено, что политипия слоистых кристаллов TlGaSe2 существенным образом влияет на температурное положение фазовых превращений, а также на механизм возникновения в этих сегнетоэлектриках полярного состояния. В частности, показано, что в политипе C-TlGaSe2 сегнетоэлектрический фазовый переход является несобственным и происходит при температуре Tc~108 K, в то же время в политипе 2C-TlGaSe2 такой переход является собственным и происходит при более высокой температуре Tc~111 K. Сделан вывод о том, что необходимым этапом исследования кристаллов TlGaSe2 является выяснение принадлежности образцов к соответствующему политипу.
  • Ю.П. Гололобов, В.М. Перга, И.Н. Саливонов, Е.Е. Щиголь. ФТТ 34, 115 (1992)
  • F. Salehli, Y. Bakis, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Semicond. Sci. Technol. 22, 843 (2007)
  • M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. ФТТ 50, 1169 (2008)
  • E. Senturk. Phys. Lett. 135, 1 (2005)
  • A.M. Panich, D.C. Ailion, S. Kashida, N. Gasanly. Phys. Rev. B 69, 245 319 (2004)
  • А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, С.П. Лебедев, А.М. Прохоров, Р.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев. Письма в ЖЭТФ 37, 517 (1983)
  • Е.А. Виноградов, В.М. Бурлаков, М.Р. Яхьеев, А.П. Рябов, Н.Н. Мельник, Б.С. Шмаров, А.А. Аникьев. ФТТ 30, 2847 (1988)
  • В.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев, А.И. Баранов, Н.Р. Иванов, Р.М. Сардарлы. ФТТ 26, 1271 (1984)
  • С.Б. Вахрушев, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.М. Сардарлы. Препринт ФТИ АН СССР N 886. Л. (1984). 12 с
  • S. Kashida, Y. Kobayashi. J. Korean Phys. Soc. 32, 40 (1998)
  • D.F. Mc Morrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Cond. Matter 2, 3699 (1990)
  • А.У. Шелег, О.Б. Плющ, В.А. Алиев. Кристаллография 44, 873 (1999)
  • К.Р. Аллахвердиев, С.С. Гусейнов, Т.Г. Мамедов, М.М. Тагиев, М.М. Ширинов. Неорган. материалы 25, 1858 (1989)
  • Б.С. Кульбужев, Л.М. Рабкин, В.И. Торгашев, Ю.И. Юзюк. ФТТ 30, 195 (1988)
  • M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F. Salehli, С.С. Бабаев, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, Г.М. Шарифов. ФТТ 51, 533 (2009)
  • К.Р. Аллахвердиев, Н.Д. Ахмед-заде, Т.Г. Мамедов, Т.С. Мамедов, М.-Г.Ю. Сеидов. ФНТ 26, 76 (2000)
  • R.M. Sardarly, O.A. Samedov, I.Sh. Sadykhov. Solid State Commun. 77, 453 (1991)
  • V.P. Aliyev, S.S. Babaev, T.G. Mammedov, M.Yu. Seidov, R.A. Suleymanov, F.A. Mikailov. Transactions of Azerbaijan National Academy of Sciences. Series of physical-mathematical and technical sciences. Physics and Astronomy 24, 2, 3 (2004)
  • Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, Г.Л. Исаенко, Н.Б. Степанищев. ФТТ 51, 2229 (2009)
  • А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Кирилович. ФТТ 40, 1328 (1998)
  • А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 293 (1984)
  • М.-Г.Ю. Сеидов, Р.А. Сулейманов, С.С. Бабаев, Т.Г. Мамедов, Г.М. Шарифов. ФТТ 50, 105 (2008)
  • Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, А.Н. Горб, Г.Л. Исаенко. ФТТ 50, 1866 (2008)
  • С.Г. Абдуллаева, Н.Т. Мамедова, Ш.С. Мамедов, Ф.А. Мустафаев. ФТТ 29, 3147 (1987)
  • F.A. Mikailov, E. Basaran, E. Senturk, L. Tumbek, T.G. Mammedov, V.P. Aliev. Phase Trans. 76, 1057 (2003)
  • В.А. Головко. ЖЭТФ 94, 182 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.