Издателям
Вышедшие номера
Изменения электросопротивления пленок La0.67Ca0.33MnO3, индуцированные взаимопревращениями включений ферро- и неферромагнитных фаз в их объеме
Бойков Ю.А.1, Лильенфорс Т.2, Олссон Е.2, Клаесон Т.2, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетерборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Значительное (~1.8%) положительное рассогласование в параметрах кристаллических решеток является причиной тетрагонального искажения (a normal /a||~1.04) и уменьшения объема элементарной ячейки пленок (15 nm) La0.67Ca0.33MnO3, выращенных квазикогерентно на поверхности подложки (001)LaAlO3. Пленки состоят из монокристаллических блоков с латеральным размером 30-50 nm. На атомно-гладкой межфазной границе LaAlO3--La0.67Ca0.33MnO3 отсутствуют дислокации несоответствия. При T=4.2 K трансформация включений неферромагнитной фазы в ферромагнитные в постоянном магнитном поле H сопровождается устойчивым снижением электросопротивления rho манганитных пленок во времени t, причем кривая rho(t) хорошо аппроксимируется соотношением rho(t)~rho1(t-t0)1/2, (где t0 --- время установления заданной величины (mu0H=5 T) магнитного поля, rho1 --- коэффициент, не зависящий от H). Магнетокристаллическая анизотропия, возникшая вследствие упругой деформации пленок подложкой, и расслоение электронных фаз являются причинами четко выраженного гистерезиса на зависимостях rho(mu0H,T<100 K), полученных в процессе сканирования mu0H в последовательности 5 T->0->-5 T->0->5 T. При T=50 K и mu0H=0.4 T магнетосопротивление MR=100%·[rho(mu0H)-rho(mu0H=0)]/rho(mu0H=0) пленок LCMO достигает 150%. Финансовая поддержка проведенных исследований частично получена из проекта МНТЦ 3743, проекта РФФИ 11-02-00609а и госконтракта N 02.740.11.0544.
  • S.S.P. Parkin, K.P. Roche, M.G. Samant, P.M. Rice, R.B. Beyers, R.E. Scheuerlein, E.J. O'Sullivan, S.L. Brown, J. Bucchigano, D.W. Abraham, Y. Lu, M. Rooks, P.L. Trouilloud, R.A. Wanner, W.J. Gallagher. J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999)
  • M. Pannetier, C. Fermon, G. Le Goff, J. Simola, E. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  • M. Bibes, L.I. Balcells, S. Valencia, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Nadolski. Phys. Rev. Lett. 87, 067210-1 (2001)
  • N.D. Mathur, P.B. Littlewood. Solid State Commun. 119, 271 (2001)
  • K. Lai, M. Nakamura, W. Kundhikanjana, M. Kawasaki, Y. Tokura, M.A. Kelly, Z.-X. She. Science 329, 190 (2010)
  • T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  • C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 4032 (2000)
  • R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience, N. Y. (1964). V. 2. P. 394
  • C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  • B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 1979 (1998)
  • Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  • E.O. Wollan, W.C. Koehler. Phys. Rev. 100, 545 (1955)
  • G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. rev. B 53, 14 434 (1996)
  • J.B. Goodenough. Phys. Rev. 100, 564 (1955)
  • Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Moritomo, H. Kuwahara, Y. Tokura. Phys. Rev.Lett. 74, 5108 (1995)
  • G. Xiao, E.J. Mcniff, Jr., G.Q. Gong, A. Gupta, C.L. Canedy, J.Z. Sun. Phys. Rev. B 54, 6073 (1996)
  • H.S. Wang, E. Wertz, Y.F. Hu, Q. Li. J. Appl. Phys. 87, 6749 (2000)
  • E.D. Dahlberg, K. Riggs, G.A. Prinz. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.