Издателям
Вышедшие номера
Подпороговая фотоэлектронная эмиссия из нанокластеров меди на поверхности SiO2
Соловьев С.М.1, Потехина Н.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Soloviev@ms.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Подпороговая фотоэлектронная эмиссия из нанокластеров меди, сформированных на поверхности SiO2, наблюдалась при облучении поверхности фотонами в диапазоне энергий 3.1-6.5 eV. Средние размеры нанокластеров меди на поверхности окиси кремния составляли 250-500 nm. Помимо обычной фотоэмиссии из заполненного поверхностного состояния Шокли (SS) сильная фотоэлектронная эмиссия наблюдалась при энергиях облучающих поверхность фотонов на 0.5 eV ниже работы выхода поверхности меди. Предполагается, что эта эмиссия обусловлена прямыми переходами электронов из состояния SS в незаполненные электронные поверхностные состояния, образованные в кулоновском потенциале сил изображения, и далее из этих состояний в вакуум.
  • M. Haruta, N. Yamada, T. Kobayashi, S. Iijima. J. Catal. 115, 301 (1989)
  • H. Kung, M.C. Kung, C.K. Costello. J. Catal. 216, 425 (2003)
  • M. Anpo, M. Takeuchi, J. Catal. 216, 505 (2003)
  • C. Pettenkofer, A. Otto. Europhys. Lett. 65, 5, 692 (2004)
  • В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Наук. думка, Киев (1981). 340 с
  • V. Shiraki, A. Ishizaka. J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986)
  • J.B. Zhou, T. Gustavsson, E. Garfunkel. Surf. Sci. 372, 21 (1997)
  • R.H. Fowler. Phys. Rev. 38, 45 (1931)
  • R.E. Watson, M.L. Perlman. In: Structure and Bonding. Springer, Berlin (1975). V. 24. P. 83
  • L.O. Pont, A.R. Siedle, M.S. Lazarns, W.L. Jolly. Inorg. Chem. 13, 483 (1974)
  • J.A. Knapp, F.J. Himpsel, D.E. Eastman. Phys. Rev. B 19, 4952 (1979)
  • K. Giesen, F. Hage, F.J. Himpsel, H.J. Riess, W. Steinmann. Phys. Rev. Lett. 55, 300 (1985)
  • E. Knoesel, A. Hotzel, M. Wolf. Phys. Rev. B 57, 12 812 (1998)
  • W. Steinmann, Th. Fauster. In: Laser --- spectroscopy and photochemistry on metal surfaces / Eds H. Lung Dai, Wilson Ho. Wold Sci. Publ. Co. (1995). Ch. 5. P. 184
  • P.M. Echenigue, J.B. Pendry. Prog. Surf. Sci. 32, 111 (1989)
  • S. Caravati, G. Butti, G.P. Brivio, M.I. Trioni, S. Pagliara, G. Ferrini, G. Galimberti, E. Pedersoli, C. Giannetti, F. Parmigiani. Surf. Sci. 600, 3901 (2006)
  • H. Eckardt, L. Fritsche, J. Noffke. J. Phys. F 14, 97 (1984)
  • E. Knoesel, T. Hertel. Phys. Rev. B 54, R 5295 (1996)
  • D.C. Marinica, C. Ramseyer, A.G. Borisov, D. Teillet-Billy, J.P. Gauyacq. Surf. Sci. 528, 78 (2003)
  • S.D. Devan. Phys. Rev. Lett. 50, 526 (1983)
  • K. Giesen, F. Hage, F.J. Himpsel, H.J. Riess, W. Steinmann. Phys. Rev. B 35, 971 (1987)
  • T. Yasue, T. Koshikawa, M. Jalochowski, E. Bauer. Surf. Sci. 493, 381 (2001)
  • M.R. Baklanov, D.G. Shamiryan, Zs. Tokel, G.P. Beyer, T. Conard, S. Vanhaelemeersch, K. Maex. J. Vac. Sci. Technol. B 19, 4, 1201 (2001)
  • H. Liu, Y.P. Zhao, G. Ramanath, S.P. Murarka, G.C. Wang. Thin Solid Films 384, 151 (2001)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). 672 с
  • Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. Наука, М. (1966). 564 с
  • C. Herring, M.H. Nichols. Rev. Mod. Phys. 21, 2, 185 (1949)
  • D.F. Padowitz, W.R. Merry, R.E. Jordan, C.B. Harris. Phys. Rev. Lett. 69, 3583 (1992)
  • E.V. Chulkov, I. Sarria, V.M. Silkin, J.M. Pitarke, P.M. Echenique. Phys. Rev. Lett. 80, 4947 (1998)
  • H. Neumann. Physica. 44, 587 (1969)
  • M.J. Lee. Phys. Rev. Lett. 30, 1193 (1973)
  • C. Schwartz, M.W. Cole. Surf. Sci. 115, 290 (1982)
  • R. Reifenberger, C.M. Egert, D.L. Haavin. J. Vac. Sci. Technol. A 2, 2, 927 (1984)
  • D.L. Haaving, R. Reifenberger. Surf. Sci. 151, 128 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.