Издателям
Вышедшие номера
Выращивание пленок твердого раствора (GaAs)1-x(ZnSe)x и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Саидов А.С.1, Саидов М.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Лейдерман А.Ю.1, Каланов М.У.2, Гаимназаров К.Г.3, Курмантаев А.Н.4
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
3Гулистанский государственный университет, Гулистан, Узбекистан
4Международный казахско-турецкий университет им. Х.А. Ясави, Туркистан, Казахстан
Email: amin@uzsci.net
Поступила в редакцию: 10 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения (GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, фотолюминесценции и вольт-амперные характеристики полученных структур n-GaAs--p-(GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80). Получены значения параметров решетки пленки af=5.6544 Angstrem и подложки as=5.6465 Angstrem, а также профиль распределения молекул компонентов твердого раствора. В спектре фотолюминесценции пленок (GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80) на фоне широкого спектра излучения обнаружен узкий пик с максимумом интенсивности излучения при энергиях фотонов, равных 2.67 eV, обусловленный связями Zn--Se (ZnSe находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы GaAs). Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.3 V) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.3 V) --- степенной зависимостью I~ Valpha со значениями alpha=4 при V=0.4-0.8 V, alpha=2 при V=0.8-1.4 V и alpha=1.5 при V>2 V. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p+-структуры при условии существования минимума в распределении концентрации неравновесных носителей. Работа выполнена в рамках грантов ФА-Ф2-Ф030+Ф096, ФА-А15-Ф074, ФА-Ф2-Ф068 программы фундаментальных исследований ККРНТ РУз.
  • А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП 20, 12, 2217 (1986)
  • G. Bougnot, F. De Lannoy. J. Electrochem. Soc. 135, 783 (1988)
  • A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev. 16, 3, 38 (1996)
  • В.М. Калыгина, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 43, 7, 975 (2009)
  • С.П. Козырев. ФТП 43, 7, 943 (2009)
  • М.С. Саидов. Гелиотехника 5, 48 (1997)
  • М.С. Саидов. Гелиотехника 3, 52 (1999)
  • А.С. Саидов, А.Ш. Раззаков, К.Г. Гаимназаров. Письма в ЖТФ 27, 22, 86 (2001)
  • A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. Phys. 68, 3 (2001)
  • В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Сов. радио, М. (1975). 328 с
  • М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов. Металлургия, М. (1962). Т. II. 1488 с. [M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys. Toronto--London--N.Y. (1958). V. II]
  • А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Фан, Ташкент (1986). 127 с
  • А.А. Русаков. Рентгенография металлов. Атомиздат, М. (1977). 480 с
  • Т.И. Красовицкая. Электронные структуры атомов и химическая связь. Просвещение, М. (1980). 224 с
  • С.С. Горелик, Л.Н. Росторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронографический анализ. Металлургия, М. (1970). 366 с
  • Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции и полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.