Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры типа напряженная пленка Ge на искуственной подложке InGaAs/GaAs. Особенность таких гетероструктур связана с тем, что пластически релаксированный (буферный) слой InGaAs имеет плотность пронизывающих дислокаций в районе 10⁵-10⁶ cm^-2. Эти дислокации, проникая в напряженный слой Ge, становятся источниками как 60^o, так и 90^o (краевых) дислокаций несоответствия (ДН). С помощью просвечивающей электронной микроскопии в границе раздела Ge/InGaAs обнаружены оба типа ДН. Показано, что наличие в растянутой пленке Ge пронизывающих дислокаций, наследуемых из буферного слоя, способствует образованию краевых дислокаций в границе раздела Ge/InGaAs даже в случае малой величины упругих деформаций в напряженной пленке. Рассмотрены механизмы образования краевых ДН, включающие случайную встречу комплементарных 60^o ДН, распространяющихся параллельно в зеркально отклоненных плоскостях 111; наведенное зарождение второй 60^o ДН и ее взаимодействие с первичной 60^o ДН; взаимодействие двух комплементарных ДН после поперечного скольжения одной из них. С помощью расчета показано, что критическая толщина h_c для появления краевых ДН существенно меньше, чем h_c для 60^o ДН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.