Издателям
Вышедшие номера
Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
Болховитянов Ю.Б.1, Василенко А.П.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Путято М.А.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры типа напряженная пленка Ge на искуственной подложке InGaAs/GaAs. Особенность таких гетероструктур связана с тем, что пластически релаксированный (буферный) слой InGaAs имеет плотность пронизывающих дислокаций в районе 105-106 cm-2. Эти дислокации, проникая в напряженный слой Ge, становятся источниками как 60o, так и 90o (краевых) дислокаций несоответствия (ДН). С помощью просвечивающей электронной микроскопии в границе раздела Ge/InGaAs обнаружены оба типа ДН. Показано, что наличие в растянутой пленке Ge пронизывающих дислокаций, наследуемых из буферного слоя, способствует образованию краевых дислокаций в границе раздела Ge/InGaAs даже в случае малой величины упругих деформаций в напряженной пленке. Рассмотрены механизмы образования краевых ДН, включающие случайную встречу комплементарных 60o ДН, распространяющихся параллельно в зеркально отклоненных плоскостях \111\; наведенное зарождение второй 60o ДН и ее взаимодействие с первичной 60o ДН; взаимодействие двух комплементарных ДН после поперечного скольжения одной из них. С помощью расчета показано, что критическая толщина hc для появления краевых ДН существенно меньше, чем hc для 60o ДН.
  • M.V. Fischetti, S.E. Laux. J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996)
  • Y. Bai, K.E. Lee, C. Cheng, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys. 104, 084 518 (2008)
  • J.W. Matthews. Phil. Mag. 13, 1207 (1966)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 92, 131 901 (2008)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 50, 1783 (2008)
  • R. Hull, J.C. Bean. J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2580 (1989)
  • S.A. Dregia, J.P. Hirsh. J. Appl. Phys. 69, 2169 (1991)
  • S.H. Huang, G. Balakrishnan, A. Khoshakhlagh, A. Jallipalli, L.R. Dawson, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett. 88, 131 911 (2006)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Derybin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth. 312, 3080 (2010)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 53, 9, 0000(2011)
  • S. Mader, A.E. Blakeslee, J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
  • E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  • J. Narayan, S. Oktyabrsky. J. Appl. Phys. 92, 7122 (2002)
  • V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
  • E.A. Fitzgerald, D.G. Ast. J. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
  • K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1983)
  • V.Yu. Karasev, N.A. Kiselev, E.V. Orlova, M.A. Gribelyuk, A.K. Gutakovsky, Yu.O. Kanter, S.M. Pintus, S.V. Rubanov, S.I. Stenin, A.A. Fedorov. Ultramicroscopy 35, 11 (1991)
  • Ю.Б. Болхвитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП 42, 3 (2008)
  • J. Narayan, S. Sharan. Mater. Sci. Eng. B 10, 261 (1991)
  • L.B. Freund. J. Appl. Phys. 68, 2073 (1990)
  • Yu. B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Philosophical Magazine Letters, 91, First published on: 03 May 2011 (iFirst) 1--7, DOI: 10.1080/ 09500839.2011.581704
  • E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 92 (1991)
  • D.C. Houghton. J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991)
  • B.W. Dodson, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987)
  • L.B. Freund, R. Hull. J. Appl. Phys. 71, 2054 (1992)
  • R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)
  • A. Fisher. Appl. Phys. Lett. 64, 1218 (1994)
  • J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. 2nd ed. Wiley, N. Y. (1982). P. 231
  • L.B. Freund. MRS Bull. 17, 52 (1992)
  • S.B. Samavedam, W.J. Taylor, J.M. Grant, J.A. Smith, P.J. Tobin, A. Dip, A.M. Philips, R. Liu. J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1424 (1999)
  • J. Parsons, E.H.C. Parker, D.R. Leadley, T.J. Grasby, A.D. Capewell. Appl. Phys. Lett. 91, 063 127 (2007)
  • X.W. Liu, A.A. Hopgood, B.F. Usher, H. Wang, N.St.J. Braithwaite. J. Appl. Phys. 94, 7496 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.