Вышедшие номера
Тройные сплавы CdyZn1-yO и MgxZn1-xO --- материалы для оптоэлектроники
Лотин А.А.1, Новодворский О.А.1, Панченко В.Я.1, Паршина Л.С.1, Хайдуков Е.В.1, Зуев Д.А.1, Рочева В.В.1, Храмова О.Д.1, Щербачев К.Д.2
1Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Lotin_82@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методом импульсно-лазерного осаждения на сапфировых подложках выращены тонкие пленки CdyZn1-yO и MgxZn1-xO в диапазоне y=0-0.35 и x=0-0.45. Достигнуты рекордные пределы растворимости Cd и Mg в гексагональном оксиде цинка, равные y=0.3 и x=0.35. Рассогласование постоянных кристаллической решетки a пленок Cd0.2Zn0.8O и Mg0.35Zn0.65O не превышало 1%, а разрыв запрещенной зоны при этом достигал 1.3 eV. Шероховатость пленок не превышала 2.5 nm для значений x=0-0.27 и y=0-0.2. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 09-07-00208, 09-07-12151, 09-08-00291.
  1. Ф. Шуберт. Светодиоды. Физматлит, М. (2008). 496 с
  2. Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец, М.П. Киселюк, Н.В. Ярошенко. ФТП 44, 1114 (2010)
  3. M.J. Bevan. H.D. Shih, J.A. Dodge, A.J. Syllaios, D.F. Weirauch. J. Electrin. Mat. 27, 769 (1998)
  4. Y.R. Ryu, T.-S. Lee, J.A. Lubguban, H.W. White, B.-J. Kim, Y.S. Park, C.J. Youn. Appl. Phys. Lett. 88, 241 108 (2006)
  5. T. Makina. Y. Segava, M. Kawasaki. Semicond. Sci. Technol. 20, S 78 (2005)
  6. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakarai, Y. Yasuba, T. Yasuba, Y. Segawa. Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998)
  7. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda, H. Koinuma. Appl. Phys. Lett. 78, 1237 (2001)
  8. О.А. Новодворский, Л.С. Горбатенко, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, Е.А. Черебыло, К. Венцель, Й.В. Барта, В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев. ФТП 43, 440 (2009)
  9. А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К.Д. Щербачев. ФТП 44, 260 (2010)
  10. J.W. Mares, F.R. Ruhge, A.V. Thompson, P.G. Kik, A. Osinsky, B. Hertog, A.M. Dabiran, P.P. Chow, W.V. Schoenfeld. Opt. Mat. 30, 346 (2007)
  11. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, М. (2002). 560 с
  12. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, A. Reshckikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc. J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.