Вышедшие номера
Импеданс композитов Si/SiO2 в окрестности порога протекания
Поклонский Н.А.1, Горбачук Н.И.1, Алейникова Д.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2College of State Island, CUNY, Staten Island, N.Y., USA
Email: poklonski@bsu.by
Поступила в редакцию: 28 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

На переменном токе исследовались полученные по керамической технологии композиты Si/SiO2 с концентрацией электропроводящей фазы кремния, близкой к порогу протекания. Установлено, что увеличение разности потенциалов постоянного электрического поля приводит к уменьшению разброса постоянных времени диэлектрических прослоек структур "зерно" Si-прослойка SiO2-"зерно" Si, формирующих электропроводящий кластер в композите. Работа поддержана программой "Нанотех" Министрества образования Республики Беларусь.