Издателям
Вышедшие номера
Эффект Пула-Френкеля в халькогенидных полупроводниках с различными кристаллическими структурами
Пашаев А.М.1,2, Тагиев Б.Г.1,2, Тагиев О.Б.2,3
1Национальная академия авиации, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
Email: oktay58@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Представлены результаты исследований электропроводности большой группы халькогенидных полупроводников, имеющих слоистую, кубическую и орторомбическую структуру, в сильных электрических полях до 105 V/cm. Выявленный рост электропроводности sigma в сильных электрических полях объясняется термоэлектронной ионизацией Френкеля. Это позволило наряду с другими параметрами (например, энергией активации и концентрацией ловушек, длиной свободного пробега носителей тока, диэлектрическую проницаемость), а также оценить концентрацию и подвижность носителей тока исследуемых полупроводников. Показано, что в сильных электрических полях в полупроводниках, когда имеет место термоэлектронная ионизация ловушек, их диэлектрическая проницаемость varepsilon, обусловленная электронной поляризацией, определяется простым способом, т. е. varepsilon=n2 (где n --- коэффициент преломления света). Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Республики Азербайджан (грант N EIF-2011-1(3)-82/01/1).
  • S. Shigetomi, T. Jkari, H. Nakashima. J. Appl. Phys. 74, 4125 (1993)
  • А.П. Одринский. ФТП 44, 883 (2010)
  • Б.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, С.Ю. Саркисов. ФТП 44, 1194 (2010)
  • E.S. Guseinova, V.A. Gadzhiev, B.G. Tagiyev. Phys. Status Solidi B 36, 75 (1969); Phys. Status Solidi A 2, 463 (1970)
  • C. Manfredotti, A.M. Mancini, R. Murri, A. Rizzo, L. Vasenelli. Nuovo Cimento B 39, 257 (1977)
  • C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo. Phys. Rev. B 10, 3387 (1974)
  • З.С. Медведева. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы. Наука, М. (1968). 216 с
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники. Сов. радио, М. (1968). 267 с
  • Г.К. Асланов, Ч.М. Брискина, В.Ф. Золин, В.М. Маркушев, Г.М. Нифтиев, О.Б. Тагиев. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 22, 1630 (1986)
  • Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева. Неорган. материалы 35, 33 (1999)
  • C. Barthou, P. Benolloul, B.G. Tagiyev, O.B. Tagiyev, S.A. Abushev, F.A. Kazimova. J. Phys.: Cond. Matter 16, 8075 (2004)
  • A. Milhs. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Мир, М. (1977). 568 с
  • С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М. (1963). 496 с
  • А.Н. Георгобиани, П.А. Пипинис. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. Мир, М. (1994). 224 с
  • Я.И. Френкель. ЖЭТФ 8, 1893 (1938)
  • J.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
  • R.M.Hill. Phil. Mag. 23, 59 (1971)
  • G.A. Connall, D.L. Camphausen, W. Pauel. Phil. Mag. 26, 541 (1972)
  • H.H. Poole. Phil. Mag. 32, 122 (1916)
  • А.И. Губанов. ЖТФ 24, 308 (1954)
  • W. Schottky. Z. Phys. B 118, 539 (1942)
  • Н.Г. Волков, В.К. Ляпидевский. ФТТ 14, 1337 (1972)
  • C.L. Roy. J. Phys. Chem. Solids 47, 825 (1986)
  • Y.-F. Chen. Phys. Status Solidi B 153, 695 (1989)
  • O.B. Tagiyev, G.A. Kasimova. Phys. Status Solidi A 128, 167 (1991)
  • G.A. Dussel, K.W. Boer. Phys. Status Solidi B 39, 375 (1970)
  • Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Н.Н. Мусаева, Р.Б. Джаббаров. ФТТ 45, 403 (2003)
  • Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Г.А. Касимова. ФТП 25, 1877 (1991)
  • Я.И. Френкель. ЖЭТФ 23, 619 (1952)
  • J. Godlewski. Phys. Status Solidi A 64, 499 (1981)
  • Y. Chan, T.S. Jayadevaiah. Phys. Status Solidi B 49, K129 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.