Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1723
<<<>>>
Рентгенолюминесцентные свойства пленок оксида цинка на M- и A-плоскостях сапфира
DOI: 10.21883/OS.2022.11.53780.3845-22
Переводная версия: 10.21883/EOS.2022.11.55106.3845-22
Министерство науки и высшего образования РФ, Государственное задание ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 075-15-2021-1362
Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Гранты Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук, МК-3140.2022.1.2
Веневцев И.Д. 1, Муслимов А.Э.2, Тарасов А.П. 2,3, Эмирасланова Л.Л.4, Исмаилов А.М.4, Каневский В.М.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского, Москва, Россия
4Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: Venevtsev.Ivan@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 19 июля 2022 г.
Принята к печати: 5 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 25 октября 2022 г.
PDF версия
Представлены результаты сравнительных исследований процессов высокотемпературного синтеза, люминесцентных и сцинтилляционных характеристик пленок ZnO на подложках сапфира М(100)- и А(110)-ориентаций. Показано, что использование метода магнетронного осаждения позволяет формировать на фоне сплошной пленки ансамбли индивидуальных [001]-микрокристаллов ZnO с выраженными рентгенолюминесцентными свойствами. Кинетика рентгенолюминесценции характеризуется двумя компонентами: быстрой компонентой со временем спада порядка наносекунды и длинным плечом медленной люминесценции. Исследование пленок методом фотолюминесцентной спектроскопии выявило особенности спектров краевой люминесценции образцов, в частности присутствие различных экситонных каналов излучения. Обнаружены и интерпретированы различия в спектральных параметрах полосы краевой люминесценции в случае оптического и рентгеновского типов возбуждения. Ключевые слова: пленки, микрокристаллы, оксид цинка, рентгенолюминесценция, фотолюминесценция, экситонное излучение.
  1. B.H. Lin, H.Y. Chen, S.C. Tseng, J.X. Wu, B.Y. Chen, C.Y. Lee, G.C. Yin, S.H. Chang, M.T. Tang, W.F. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 109, 192104 (2016). DOI: 10.1063/1.4967743
  2. B.H. Lin, X.Y. Li, D.J. Lin, B.L. Jian, H.C. Hsu, H.Y. Chen, S.C. Tseng, C.Y. Lee, B.Y. Chen, G.C. Yin, M.Y. Hsu, S.H. Chang, M.T. Tang, W.F. Hsieh. Sci. Rep., 9, 207 (2019). DOI: 10.1038/s41598-018-36764-8
  3. M.R. Wagner, G. Callsen, J.S. Reparaz, J.H. Schulze, R. Kirste, M. Cobet, I.A. Ostapenko, S. Rodt, C. Nenstiel, M. Kaiser, A. Hoffmann, A.V. Rodina, M.R. Phillips, S. Lautenschlager, S. Eisermann, B.K. Meyer. Phys. Rev. B, 84, 035313 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.035313
  4. П.А. Родный, К.А. Черненко, И.Д. Веневцев. Опт. и спектр., 125 (3), 357 (2018). DOI: 10.21883/OS.2022.11.53780.3845-22 [P.A. Rodnyi, K.A. Chernenko, I.D. Venevtsev. Opt. Spectrosc., 125, 372 (2018). DOI: 10.1134/S0030400X18090205]
  5. K. Oka, H. Shibata, S. Kashiwaya. J. Cryst. Growth., 237 (1), 509 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(01)01953-4
  6. F. Huang, Z. Lin, W. Lin, J. Zhang, K. Ding, Y. Wang, Q. Zheng, Z. Zhan, F. Yan, D. Chen, P. Lv, X. Wang. Chin. Sci. Bull., 59 (12), 1235 (2014). DOI: 10.1007/s11434-014-0154-4
  7. I.D. Venevtsev, A.P. Tarasov, A.E. Muslimov, E.I. Gorokhova, L.A. Zadorozhnaya, P.A. Rodnyi, V.M. Kanevsky. Materials, 14 (8), 2001, (2021). DOI: 10.3390/ma14082001
  8. И.Д. Веневцев, П.А. Родный, А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, В.А. Бабаев, А.М. Исмаилов. Опт. и спектр., 127 (12), 981 (2019). DOI: 10.21883/OS.2022.11.53780.3845-22 [I.D. Venevtsev, P.A. Rodnyi, A.E. Muslimov, V.M. Kanevskii, V.A. Babaev, A.M. Ismailov. Opt. Spectrosc., 127, 1075 (2019). DOI: 10.1134/S0030400X19120282]
  9. А.Э. Муслимов, В.М. Каневский, И.Д. Веневцев, А.М. Исмаилов. Кристаллография, 65 (5), 798 (2020). DOI: 10.31857/S0023476120050148 [A.E. Muslimov, V.M. Kanevsky, I.D. Venevtsev, A.M. Ismailov. Cryst. Rep., 65, 766 (2020). DOI: 10.1134/S1063774520050144]
  10. K. Tsunekawa. J. Vac. Soc. Japan., 53, 486 (2010). DOI: 10.3131/jvsj2.53.486
  11. M. Podlogar, J.J. Richardson, D. Vengust, N. Daneu, Z. Samardv zija, S. Bernik, A. Rev cnik. Adv. Funct. Mater., 22 (15), 3136 (2012). DOI: 10.1002/adfm.201200214
  12. M. Madel, G. Neusser, U. Simon, B. Mizaikoff, K. Thonke. J. Cryst. Growth, 419, 128 (2015). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.03.020
  13. А.Э. Муслимов, А.М. Исмаилов, Ю.В. Григорьев, В.М. Каневский. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2021 (11), 90 (2021). DOI: 10.31857/S1028096021110145 [A.E. Muslimov, A.M. Ismailov, Yu.V. Grigoriev, V.M. Kanevsky. J. Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques., 15, 1195 (2021). DOI: 10.1134/S1027451021060148]
  14. P.A. Rodnyi, S.B. Mikhrin, A.N. Mishin, A.V. Sidorenko. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48 (6), 2340 (2001). DOI: 10.1109/23.983264
  15. L. Zhang, J. Wu, T. Han, F. Liu, M. Li, X. Zhu, Q. Zhaoa, T. Yu. Cryst. Eng. Commun., 23 (18), 3364 (2021). DOI: 10.1039/d1ce00040c
  16. E. Chubenko, V. Bondarenko, A. Ghobadi, G. Ulusoy, K. Topalli, A.K. Okyay. MRS Advances, 2 (14), 799 (2017). DOI: 10.1557/adv.2017.150
  17. J. Thornton. Annu. Rev. Mater. Sci., 7, 239 (1977). DOI: 10.1146/annurev.ms.07.080177.001323
  18. P.B. Barna, M. Adamik. Thin Solid Films., 317, 27 (1988). DOI: 10.1016/S0040-6090(97)00503-8
  19. A.M. Ismailov, L.L. Emiraslanova, M.K. Rabadanov, M.R. Rabadanov, I.Sh. Aliev. Tech. Phys. Lett., 44, 528 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018060202
  20. А.П. Тарасов, И.Д. Веневцев, А.Э. Муслимов. Л.А. Задорожная, П.А. Родный, В.М. Каневский. Квант. электрон., 51 (5), 366 (2021). [A.P. Tarasov, I.D. Venevtsev, A.E. Muslimov, L.A. Zadorozhnaya, P.A. Rodnyi, V.M. Kanevsky. Quantum Electron., 51 (5), 366 (2021). DOI: 10.1070/QEL17534]
  21. А.Э. Муслимов, М.Х. Рабаданов, А.М. Исмаилов. Прикладная физика, 3, 72 (2017)
  22. C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics, 4th ed. (Springer, Berlin, 2012)
  23. C. Klingshirn, R. Hauschild, J. Fallert, H. Kalt. Phys. Rev. B, 75, 1 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.115203
  24. M.A. Versteegh, T. Kuis, H.T.C. Stoof, J. I. Dijkhuis. Phys. Rev. B, 84, 035207 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.035207
  25. U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. Reshchikov, S. Dov gan, V. Avrutin, S.-J. Cho, A.H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 11 (2005). DOI: 10.1063/1.1992666
  26. S.A. Studenikin, M. Cocivera. J. Appl. Phys., 91 (8), 5060 (2002). DOI: 10.1063/1.1461890
  27. М.В. Рыжков, С.И. Румянцев, В.М. Маркушев, Ч.М. Брискина, А.П. Тарасов. Журн. прикл. спектр., 81, 805 (2014). [M.V. Ryzhkov, S.I. Rumyantsev, V.M. Markushev, Ch.M. Briskina, A.P. Tarasov. J. Appl. Spectrosc., 81, 877 (2014). DOI: 10.1007/s10812-014-0021-8]
  28. S. Rumyantsev, A. Tarasov, C. Briskina, M. Ryzhkov, V. Markushev, A. Lotin. J. Nanophotonics, 10, 016001 (2016). DOI: 10.1117/1.JNP.10.016001
  29. M. Nakayama, Y. Nakayama. J. Phys. Soc. Japan., 88 (8), 083706 (2019). DOI: 10.7566/JPSJ.88.083706
  30. А.П. Тарасов, Л.А. Задорожная, А.Э. Муслимов, Ч.М. Брискина, В.М. Каневский. Письма в ЖЭТФ, 114 (9), 596 (2021). DOI: 10.31857/S1234567821210035 [A.P. Tarasov, L.A. Zadorozhnaya, A.E. Muslimov, Ch.M. Briskina, V.M. Kanevsky. JETP Lett., 114, 517 (2021). DOI: 10.1134/S0021364021210116]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme