Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства пиролитического нитрида кремния SiN_x, обогащённого кремнием

DOI: 10.21883/OS.2022.11.53779.3834-22

Переводная версия: 10.21883/EOS.2022.11.55105.3834-22

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 19-29-03018

РНФ, 22-19-00369

Перевалов Т.В.

¹, Спесивцев Е.В.¹, Рыхлицкий С.В.

¹, Бобовников П.Г.², Красников Г.Я.², Гриценко В.А. ^1,3

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, Зеленоград, Россия Molecular Electronics Research Institute, Zelenograd, Russia

Molecular Electronics Research Institute, Zelenograd, Russia

³Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

Email: timson@isp.nsc.ru, evs@isp.nsc.ru, pbobovnikov@niime.ru, grits@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 17 июня 2022 г.

В окончательной редакции: 17 июня 2022 г.

Принята к печати: 11 сентября 2022 г.

Выставление онлайн: 25 октября 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Нестехиометрический нитрид кремния SiN_x, обогащённый кремнием, является перспективным материалом для разработки энергонезависимой мемристорной памяти. В работе изучаются оптические свойства SiN_x, синтезированного в реакторе пониженного давления при 800^oС при разных соотношения дихлорсилана (SiH₂Cl₂) к аммиаку (NH₃). Установлено, что для плёнок, синтезированных при отношении SiH₂Cl₂/NH₃=1/1, 1/2 и 1/3, соответствующие значения ширины запрещённой зоны составляют 3.83, 4.17 и 4.40 eV. При этом соответствующие значения параметра x, найденные по рассчитанной из первых принципов зависимости значения ширины запрещённой зоны SiN_x от x, составляют 1.26, 1.30 и 1.32. Таким образом, увеличивая отношение SiH₂Cl₂/NH₃, можно создавать нестехиометрические плёнки SiN_x с контролируемой степенью обогащения кремнием при высокой однородности химического состава и толщины. Ключевые слова: нитрид кремния, мемристор, коэффициент поглощения, эллипсометрия, квантово-химическое моделирование.

M.A. Zidan, J.P. Strachan, W.D. Lu. Nature Electronics, 1, 22 (2018). DOI: 10.1038/s41928-017-0006-8
В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов. Физика диэлектрических плёнок: Механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти (издательство "Параллель", Новосибирск, 2017)
X. Jiang, Z. Ma, J. Xu, K. Chen, L. Xu, W. Li, X. Huang, D. Feng. Sci. Rep, 5, 15762 (2015). DOI: 10.1038/srep15762
S. Kim, S. Jung, M.H. Kim, Y.C. Chen, Y.F. Chang, K.C. Ryoo, S. Cho, J.H. Lee, B.G. Park. Small, 19 (14), 1704062 (2018). DOI: 10.1002/smll.201704062
S.V. Tikhov, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, I.N. Antonov, V.V. Karzanov, O.N. Gorshkov, D.I. Tetelbaum, P. Karakolis, P. Dimitrakis. Microelectron Engineering, 187, 134 (2018). DOI: 10.1016/j.mee.2017.11.002
A.A. Gismatulin, N.G. Kamaev, V.N. Kruchinin, V.A. Gritsenko, O.M. Orlov, A. Chin. Sci. Rep., 11, 2417 (2021). DOI: 10.1038/s41598-021-82159-7
T.J. Yen, A. Chin, V. Gritsenko. Scientific Reports, 10 (1), 2807 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-59838-y
N.-M. Park, C.-J. Choi, T.-Y. Seong, S.-J. Park. Phys. Rev. Lett., 86 (7), 1355 (2001)
V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov. Appl. Phys. Lett., 109, 062904 (2016). DOI: 10.1063/1.4959830
P. Giannozzi, O. Andreussi, T. Brumme, O. Bunau, M. Buongiorno Nardelli, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, M. Cococcioni, N. Colonna, I. Carnimeo, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, P. Delugas, R.A. DiStasio, A. Ferretti, A. Floris, G. Fratesi, G. Fugallo, R. Gebauer, U. Gerstmann, F. Giustino, T. Gorni, J. Jia, M. Kawamura, H.Y. Ko, A. Kokalj, E. Kucukbenli, M. Lazzeri, M. Marsili, N. Marzari, F. Mauri, N.L. Nguyen, H.V. Nguyen, A. Oterode-la-Roza, L. Paulatto, S. Ponce, D. Rocca, R. Sabatini, B. Santra, M. Schlipf, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, I. Timrov, T. Thonhauser, P. Umari, N. Vast, X. Wu, S. Baroni. J. Phys.-Condens. Mater., 29 (46), 465901 (2017). DOI: 10.1088/1361-648X/aa8f79
E.D. Palik. Handbook of Optical Constants of Solids (Academic Press, Inc., 1985)
А.Н. Сорокин, А.А. Карпушин, В.А. Гриценко. Письма в ЖЭТФ, 98 (11), 801 (2013). DOI: 10.7868/S0370274X13230136

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель