Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические и фотолюминесцентные свойства тонкопленочной структуры ZnO-ЦТСЛ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра

DOI: 10.21883/OS.2019.12.48697.226-19

Переводная версия: 10.1134/S0030400X19120075

Григорьев Л.В.

^1,2, Егорова Я.Б.¹, Быков Н.А.¹, Семенов А.А.

², Никитин А.А.

¹Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: grigoryev@oi.ifmo.ru, semalexander@gmail.com, and.a.nikitin@gmail.com

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования структурных, оптических и фотолюминесцентных свойств тонкопленочной структуры ZnО-сегнетоэлектрическая керамика ЦТСЛ. Приведены результаты рентгеноструктурного анализа пленки оксида цинка, синтезированной на подложке из ЦТСЛ и на кварцевой подложке. Приведены спектры пропускания, отражения и поглощения и спектральная зависимость фотолюминесценции тонкопленочной структуры ZnО-ЦТСЛ и структуры ZnO-SiO₂ в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра. Ключевые слова: оксид цинка, сегнетоэлектрик, спектр пропускания, спектр отражения, спектр фотолюминесценции, электронно-лучевой метод.

Wen-Che T., Hui-Ling K., Kun-Hsu L. // Optics Express. 2015. V. 23. Iss. 3. P. 2187-2195
Wei C.L., Chen Y.E., Cheng C.C. // Thin Solid Films. 2010. V. 518. N 11. P. 3059-3062
Вендик О.Г., Горин Ю.Н., Попов В.Ф. Корпускулярно-фотонная технология. М.: Высшая Школа,1984. 239 с
Закирова А.Н., Крылов П.Н., Суворов И.А., Федотова И.В. // Вест. Удмуртского государственного университета. Cер. Физика конденсированного состояния вещества. 2012. В. 4. С. 14-17
Русаков А.А. Рентгенография металлов. М.: Атомиздат, 1977. 480 с
Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с
Алексеев С.А., Прокопенко В.Т., Яськов А.Д. Экспериментальная оптика полупроводников. СПб.: Политехника, 1994. 246 с
Веселов А.Г., Кирясова О.А., Сердобинцев А.А. // ФТП. 2008. Т. 42. N 4. С. 496-499
Thomas D.G. // J. Phys. Chem. Solids. 1960. V. 15. P. 86-96
Berseth T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 262112
Bagnal D.M., Chen Z., Yao T. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 1038-1040
Yao B.D., Chang V.F., Wang F. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 4. P. 757-759
Ton-That C. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. P. 115205
Грузинцев А.Н., Волков В.Т. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 11. С. 1476-1480
Yao B.D., Chang V.F., Wang F. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 4. P. 757-759

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель