ФТТ, 2010, том 52, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О процессе фазового перехода второго рода под влиянием сильного электрон-фононного взаимодействия

Э.Н.Мясников, З.П.Мастропас

Южный федеральный университет,
Педагогический институт,
Ростов-на-Дону, Россия
E-mail: mastrozin@mail.ru

(Поступила в Редакцию 27 апреля 2009 г.
В окончательной редакции 18 июня 2009 г.)

Рассмотрена модель кристалла с сильным электрон-фононным взаимодействием, порождающим фазовый переход второго рода. Задачей исследования является нахождение для этой модели температурной зависимости термодинамического потенциала в симметричной фазе в области температур, непосредственно примыкающей к температуре перехода Tc. Для решения этой задачи использован метод мацубаровских квантовых функций Грина, который учитывает влияние и тепловых, и квантовых флуктуаций. Показано, что флуктуационные когерентные деформации кристаллической решетки, имеющие симметрию упорядоченной фазы, в результате взаимодействия с электронной подсистемой при T>Tc оказываются энергетически выгодными. Полученные результаты позволяют построить модель процесса фазового перехода второго рода вблизи точки Кюри Tc.

 PDF версия (496Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster