ФТТ, 2009, том 51, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сегнетоэлектрические фазовые переходы в ионных проводниках на основе ванадата висмута

Е.Д.Политова\kern1pt*, Е.А.Фортальнова\kern1pt*,**, Г.М.Калева\kern1pt*, А.В.Мосунов\kern1pt*, Л.И.Андронова**,
С.А.Андропова\kern1pt**, М.Г.Сафроненко\kern1pt**, Н.У.Венсковский\kern1pt**

* Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова,
Москва, Россия
** Российский университет дружбы народов,
Москва, Россия
E-mail: politova@cc.nifhi.ac.ru

Методом твердофазного синтеза получены керамические твердые растворы (Bi1-xLax)4V2O11-z (I), Bi4(V1-xFex)2O11-y (II) и (Bi1-xLax)4(V0.96Fe0.04)2O11-y (III) (x=0-0.3, шаг Delta x=0.02). Установлены концентрационные и температурные диапазоны стабилизации различных полиморфных модификаций, включая области концентраций x, соответствующие стабилизации сегнетоэлектрической фазы. Установлено снижение температуры, размытие перехода и увеличение интервала температурного гистерезиса сегнетоэлектрического фазового перехода с ростом x в области существования псевдоромбической alpha-фазы изученных твердых растворов. Выявлены эффект \glqq зажатия\grqq доменных стенок вакансиями кислорода в образцах из области существования сегнетоэлектрической фазы alpha и эффект диэлектрической релаксации в образцах из области существования ромбической фазы beta.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-03-00133).

PACS: 77.22.Ch, 77.20.Bh, 72.20.-i, 61.72.jd

 PDF версия (272Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster