Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические фазовые переходы в ионных проводниках на основе ванадата висмута
Политова Е.Д.1, Фортальнова Е.А.1,2, Калева Г.М.1, Мосунов А.В.1, Андронова Л.И.2, Андропова С.А.2, Сафроненко М.Г.2, Венсковский Н.У.2
1Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: politova@cc.nifhi.ac.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Методом твердофазного синтеза получены керамические твердые растворы (Bi1-xLax)4V2O11-z (I), Bi4(V1-xFex)2O11-y (II) и (Bi1-xLax)4(V0.96Fe0.04)2O11-y (III) (x=0-0.3, шаг Delta x=0.02). Установлены концентрационные и температурные диапазоны стабилизации различных полиморфных модификаций, включая области концентраций x, соответствующие стабилизации сегнетоэлектрической фазы. Установлено снижение температуры, размытие перехода и увеличение интервала температурного гистерезиса сегнетоэлектрического фазового перехода с ростом x в области существования псевдоромбической alpha-фазы изученных твердых растворов. Выявлены эффект "зажатия" доменных стенок вакансиями кислорода в образцах из области существования сегнетоэлектрической фазы alpha и эффект диэлектрической релаксации в образцах из области существования ромбической фазы beta. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 07-03-00133). PACS: 77.22.Ch, 77.20.Bh, 72.20.-i, 61.72.jd