ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6
ФТТ, 2009, том 51, выпуск 6
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC
С.Ю.Давыдов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию в окончательном виде 16 октября 2008 г.)
|
Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр , характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. \iffalse Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (N 07-02-00919a) и целевой программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы Российской Федерации\grqq (проект 2.1.2.1716 K). \fi Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН \glqq Квантовая физика конденсированных сред\grqq, целевой программы \glqq Развитие научного потенциала высшей школы (20092010)\grqq Минобрнауки РФ N 2.1.1/2503 и поддержана грантом РФФИ (проекты N 07-020063а). PACS: 77.84.Bw, 77.22.Ej, 78.20.Ci |
| PDF версия (108Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |