Издателям
Вышедшие номера
Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei.Davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Методом связывающих орбиталей Харрисона рассчитаны значения спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей нитридов алюминия, галлия и индия, а также карбида кремния, имеющих структуру вюрцита. Единственный подгоночный параметр gamma, характеризующий поправки на локальное поле, определялся из подгонки расчетного значения высокочастотной диэлектрической проницаемости varepsilonбесконечность для структуры сфалерита к данным эксперимента. Результаты расчета удовлетворительно согласуются с существующими экспериментальными данными и расчетами других авторов. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ (N 07-02-00919a) и целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы Российской Федерации" (проект 2.1.2.1716 K). Работа выполнена в рамках программы Президиума РАН "Квантовая физика конденсированных сред", целевой программы "Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010)" Минобрнауки РФ N 2.1.1/2503 и поддержана грантом РФФИ (проекты N 07-020063а). PACS: 77.84.Bw, 77.22.Ej, 78.20.Ci
  • Proc. 6th Eur. Conf. on silicon carbide and related materials. Newcastle upon Tune, U.K. (2006). Mater. Sci. Forum 556-- 557 (2007)
  • Int. Conf. on silicon carbide and related materials (ICSCRM). Otsu, Japan (2007). Technical Digest
  • С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ 49, 723 (2007)
  • С.Ю. Давыдов. ФТП 36, 45 (2002)
  • С.Ю. Давыдов. ФТП 48, 1748 (2006)
  • S.Yu. Karpov. In: Nitride semiconductor devices: principles and simulation / Ed. J. Piprek. Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim (2007). Ch. 14. P. 303
  • С.Ю. Давыдов. ФТТ 48, 1407 (2006)
  • У. Харрисон. Электронная структура твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 381 с
  • W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 3592 (1983)
  • O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, L.F. Eastman. J. Phys.: Cond. Matter 14, 3399 (2002)
  • С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 29, 2890 (1987)
  • F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B 56, R 10 024 (1997)
  • Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  • K. Karch, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. Phys. Rev. B 53, 13 400 (1996)
  • С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 30, 1326 (1988)
  • V.W.L. Chin, T.L. Tansley, T. Osotchan. J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994)
  • W.W. Chow, A.F. Wright, J.S. Nelson. Appl. Phys. Lett. 68, 296 (1996)
  • V.M. Polyakov, F. Schwierz. J. Appl. Phys. 98, 023 709 (2005)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 608 с
  • W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
  • A. Qtech, V. Heine, R.J. Needs. Phys. Rev. B 45, 6534 (1992)
  • T. Kamiya. J. Appl. Phys. 35, 4421 (1996)
  • A.T. Collins, E.C. Lightowlers, P.J. Dean. Phys. Rev. 158, 833 (1967)
  • R. Dingle, H.L. Stormer, A.C. Gossar, W. Weigmann. Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978)
  • A.S. Barker, jr., M. Ilegems. Phys. Rev. B 7, 743 (1973)
  • F. Bernardini, V. Fiorentini. Phys. Rev. Lett. 79, 3958 (1997)
  • K. Karch, G. Portisch, F. Bechstedt, P. Pavone, D. Strauch. Inst. Phys. Conf. Ser. N 142 (1996). Ch. 3. P. 967
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.