Полосы в спектрах люминесценции Be$$₂SiO$$₄ при 2.7 и 3.15 eV приписаны [AlO$$₄]$5-$- и [SiO$$₄]$4-$-центрам, возникающим как при непосредственной релаксации электронных возбуждений на дефектных уровнях, так и за счет образования экситонно-дефектных комплексов. В качестве причин образования оптически-активных центров с характерными полосами поглощения в области $1.5-4.0$ eV рассматриваются нарушения бериллий-кислородных связей (короткоживущие дефекты в виде вакансий бериллия $V$_Be^-). Собственная люминесценция кристалла Be$$₂SiO$$₄ при 3.6 и 4.1 eV отнесена к излучательному распаду двух типов автолокализованных экситонов. Предложен механизм автолокализации экситонов на тетраэдрических группах [SiO$$₄] и [BeO$$₄] за счет передачи возбуждения от трехкоординированного атома кислорода на соседние атомы кремния или бериллия.

Работа поддержана РФФИ (гранты N 07-02-12015-офи и 08-02-01072).

PACS: 71.35.Aa, 78.60.Hk, 78.47.+p