ФТТ, 2008, том 50, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фазовый переход в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках по данным тепловых измерений

С.Т.Давитадзе, Б.А.Струков, Д.В.Высоцкий, В.В.Леманов*, С.Г.Шульман*, Y.Uesu**, S.Asanuma**

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
** Waseda University,
169-8555 Tokyo, Japan
E-mail: davitadze@phys.msu.ru

(Поступила в Редакцию 11 декабря 2007 г.
В окончательной редакции 20 апреля 2008 г.)

Приводятся результаты исследования температурной зависимости теплоемкости эпитаксиальных тонких пленок BaTiO3/MgO в интервале толщин 50--500 nm динамическим 3omega-методом. Обнаружены размытые аномалии теплоемкости, соответствующие фазовым переходам, при этом температура сегнетоэлектрического фазового перехода Tc повышается при уменьшении толщины пленки. Обсуждаются причины сильной размытости перехода и нелинейности зависимости температуры перехода от толщины пленки.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 05-02-16873, 06-02-16664).

PACS: 65.40.Ba, 77.55.+f, 77.84.Dy

 PDF версия (160Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster