Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фазовый переход в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках по данным тепловых измерений
Давитадзе С.Т.1, Струков Б.А.1, Высоцкий Д.В.1, Леманов В.В.2, Шульман С.Г.2, Uesu Y.3, Asanuma S.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Waseda University, 16 Tokyo, Japan
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Waseda University, 16 Tokyo, Japan
Email: davitadze@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 11 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Приводятся результаты исследования температурной зависимости теплоемкости эпитаксиальных тонких пленок BaTiO3/MgO в интервале толщин 50-500 nm динамическим 3omega-методом. Обнаружены размытые аномалии теплоемкости, соответствующие фазовым переходам, при этом температура сегнетоэлектрического фазового перехода Tc повышается при уменьшении толщины пленки. Обсуждаются причины сильной размытости перехода и нелинейности зависимости температуры перехода от толщины пленки. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 05-02-16873, 06-02-16664). PACS: 65.40.Ba, 77.55.+f, 77.84.Dy
- N. Setter, D. Damenjanovic, L. End, G. Fox, S. Gevorgian. J. Appl. Phys. 100, 051 606 (2006)
- J.F. Scott. Ferroelectric memories. Springer-Verlag, Berlin (2000). 190 p
- M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. Cond-mat/0503372 (2005)
- V. Nagarajan, C.S. Ganpule, R. Ramesh. Ferroelectric random access memories fundamentals and applications / Eds H. Ishihara, M. Okuyama, Y. Arimoto. Springer, N.Y. (2004)
- G. Gerra, A.K. Tagantsev, N. Setter. Phys. Rev. Lett. 94, 107 602 (2005)
- N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Ferroelectrics 223, 79 (1999)
- B.A. Strukov, S.T. Davitadze, S.N. Kravchun, S.A. Taraskin, B.M. Goltzman, V.V. Lemanov, S.G. Shulman. J. Phys.: Cond. Matter 15, 4331 (2003)
- B.A. Strukov, S.T. Davitadze, S.G. Shulman, B.M. Goltzman, V.V. Lemanov. Ferroelectrics 301, 157 (2004)
- Z. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Johnsson, P. Nanni. Phys. Rev. B 70, 024107 (2004)
- A. Onodera, Y. Kawamura, T. Okabe, H. Terauchi. J. Eur. Cer. Soc. 19, 1477 (1999)
- С.Н. Кравчун, С.Т. Давитадзе, Н.С. Мизина, Б.А. Струков. ФТТ 39, 762 (1997)
- S. Davitadze, S. Kravchun, N. Mizina, B. Strukov, B. Goltzman, V. Lemanov, S. Shulman. Ferroelectrics 208-- 209, 279 (1998)
- С.Т. Давитадзе, С.Н. Кравчун, Б.А. Струков, Б.М. Гольцман, В.В. Леманов, С.Г. Шульман. ФТТ 39, 1299 (1997)
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 302 с
- V.B. Shirokov, Yu.I. Yuzyuk, B. Dkhil, V.V. Lemanov. Phys. Rev. B 75, 224 116 (2007)
- J.S. Speck, W. Pompe. J. Appl. Phys. 76, 466 (1994)
- B.-K. Lai, I.A. Kornev, L. Bellaiche, G.J. Salamo. Appl. Phys. Lett. 86, 132 904 (2005)
- B. Dkhi, E. Defay. Appl. Phys. Lett. 90, 022 908 (2007)
- F. He, B.O. Wells. Cond-mat/0511518 (2005)
- M.D. Glinchuk, P.I. Bykov. J. Phys.: Cond. Matter 16, 6779 (2004)
- A.M. Bratkovsky, A.P. Levanyuk. Phys. Rev. Lett. 94, 107 601 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
