ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Эффекты переключения и памяти, обусловленные прыжковым механизмом переноса носителей заряда в композитных пленках на основе проводящих полимеров и неорганических наночастиц

А.Н.Алешин, Е.Л.Александрова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: aleshin@transport.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 24 января 2008 г.)

Исследованы эффекты переключения и памяти в композитных пленках на основе проводящих полимеров (произвольных полифениленвинилена, тиофена, карбазола) и неорганических наночастиц (ZnO и Si). Установлено, что введение в полимерные материалы неорганических наночастиц, обладающих сильными акцепторными свойствами (ZnO, Si), приводит к возникновению эффектов памяти, проявляющихся в переходе полимера из низкопроводящего в высокопроводящее состояние. Для ряда композитов этот переход сопровождается появлением области с отрицательным дифференциальным сопротивлением и наличием гистерезиса в вольт-амперных характеристиках. Показано, что наблюдаемые эффекты определяются характером переноса носителей заряда в композите. Так, если в пленках на основе производных тиофена основным механизмом транспорта является проводимость, связанная с туннелированием носителей между проводящими областями, помещенными в непроводящую матрицу, то в композитных пленках (полимер-полупроводниковые наночастицы) доминирующим механизмом транспорта является прыжковая проводимость, которая и обусловливает наблюдаемые в них эффекты.

Работа выполнена при поддержке подпрограммы Президиума РАН \glqq Полифункциональные материалы для молекулярной электроники\grqq и гранта РФФИ N 07-03-00215.

PACS: 72.80.Le, 72.80.Tm, 73.40.Lq, 73.61.Le, 73.61.Ph

 PDF версия (869Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster