Вышедшие номера
Эффекты переключения и памяти, обусловленные прыжковым механизмом переноса носителей заряда в композитных пленках на основе проводящих полимеров и неорганических наночастиц
Алешин А.Н.1, Александрова Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследованы эффекты переключения и памяти в композитных пленках на основе проводящих полимеров (произвольных полифениленвинилена, тиофена, карбазола) и неорганических наночастиц (ZnO и Si). Установлено, что введение в полимерные материалы неорганических наночастиц, обладающих сильными акцепторными свойствами (ZnO, Si), приводит к возникновению эффектов памяти, проявляющихся в переходе полимера из низкопроводящего в высокопроводящее состояние. Для ряда композитов этот переход сопровождается появлением области с отрицательным дифференциальным сопротивлением и наличием гистерезиса в вольт-амперных характеристиках. Показано, что наблюдаемые эффекты определяются характером переноса носителей заряда в композите. Так, если в пленках на основе производных тиофена основным механизмом транспорта является проводимость, связанная с туннелированием носителей между проводящими областями, помещенными в непроводящую матрицу, то в композитных пленках (полимер-полупроводниковые наночастицы) доминирующим механизмом транспорта является прыжковая проводимость, которая и обусловливает наблюдаемые в них эффекты. Работа выполнена при поддержке подпрограммы Президиума РАН "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники" и гранта РФФИ N 07-03-00215. PACS: 72.80.Le, 72.80.Tm, 73.40.Lq, 73.61.Le, 73.61.Ph
  1. S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S.R. Forrest. Nature 426, 166 (2003)
  2. F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen. Chem. Mater. 18, 2707 (2006)
  3. F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen, H.L. Gomes, M. Colle, M. Buchel, D.M. de Leeuw. Appl. Phys. Lett. 91, 192 103 (2007)
  4. C. Pearson, J.H. Ahn, M.F. Mabrook, D.A. Zeze, M. Petty, K.T. Kamtekar, C. Wang, M.R. Bryce, P. Dimitrakis, D. Tsoukalas. Appl. Phys. Lett. 91, 123 506 (2007).
  5. J. Ouyang, C.W. Chu, R.J. Tseng, A. Prakash, Y. Yang. Electrical bistable polymer films and their applications in memory devices. In: Handbook of Conducting Plymers/Eds T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. 3d ed. CRC Press (2007). V. 2. Ch. 8. P. 8-1-16-21
  6. F. Li, D.-I. Son, H.-M. Cha, S.M. Seo, B.-J. Kim, H.-J. Kim, J.-H. Jung, T.W. Rim. Appl. Phys. Lett. 90, 222 109 (2007); 91, 122 111 (2007)
  7. F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen. Appl. Phys. Lett. 89, 102 103 (2006); J. Appl. Phys. 102, 083 701 (2007)
  8. S. Paul, A. Kanwal, M. Chhowalla. Nanotechnology 17, 145 (2006)
  9. B.L. Groenendaal, E. Jonas, D. Freitag, H. Pielartzik, J.R. Reynolds. Adv. Mater. 12, 481 (2000)
  10. A.N. Aleshin, S.R. Williams, A.J. Heeger. Synth. Metals 94, 173 (1998)
  11. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer, N.Y. (1984). P. 388
  12. А.В. Ванников, А.Д. Гришина. Фотохимия полимерных донорно-акцепторных комплексов. Наука, М. (1984)
  13. R.S. Penwell, B.N. Ganguly. J. Polym. Sci. Macromol. Rev. 13, 63 (1978)
  14. J.V. Grazulevicius, P. Strohriegl, J. Pielichowski. Prog. Polym. Sci. 28, 1297 (2003)
  15. I.D. Parker. J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994)
  16. K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids. Pergamon Press, Oxford (1981). P. 660

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.