Издателям
Вышедшие номера
Эффекты переключения и памяти, обусловленные прыжковым механизмом переноса носителей заряда в композитных пленках на основе проводящих полимеров и неорганических наночастиц
Алешин А.Н.1, Александрова Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследованы эффекты переключения и памяти в композитных пленках на основе проводящих полимеров (произвольных полифениленвинилена, тиофена, карбазола) и неорганических наночастиц (ZnO и Si). Установлено, что введение в полимерные материалы неорганических наночастиц, обладающих сильными акцепторными свойствами (ZnO, Si), приводит к возникновению эффектов памяти, проявляющихся в переходе полимера из низкопроводящего в высокопроводящее состояние. Для ряда композитов этот переход сопровождается появлением области с отрицательным дифференциальным сопротивлением и наличием гистерезиса в вольт-амперных характеристиках. Показано, что наблюдаемые эффекты определяются характером переноса носителей заряда в композите. Так, если в пленках на основе производных тиофена основным механизмом транспорта является проводимость, связанная с туннелированием носителей между проводящими областями, помещенными в непроводящую матрицу, то в композитных пленках (полимер-полупроводниковые наночастицы) доминирующим механизмом транспорта является прыжковая проводимость, которая и обусловливает наблюдаемые в них эффекты. Работа выполнена при поддержке подпрограммы Президиума РАН "Полифункциональные материалы для молекулярной электроники" и гранта РФФИ N 07-03-00215. PACS: 72.80.Le, 72.80.Tm, 73.40.Lq, 73.61.Le, 73.61.Ph
  • S. Moller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, S.R. Forrest. Nature 426, 166 (2003)
  • F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen. Chem. Mater. 18, 2707 (2006)
  • F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen, H.L. Gomes, M. Colle, M. Buchel, D.M. de Leeuw. Appl. Phys. Lett. 91, 192 103 (2007)
  • C. Pearson, J.H. Ahn, M.F. Mabrook, D.A. Zeze, M. Petty, K.T. Kamtekar, C. Wang, M.R. Bryce, P. Dimitrakis, D. Tsoukalas. Appl. Phys. Lett. 91, 123 506 (2007).
  • J. Ouyang, C.W. Chu, R.J. Tseng, A. Prakash, Y. Yang. Electrical bistable polymer films and their applications in memory devices. In: Handbook of Conducting Plymers/Eds T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. 3d ed. CRC Press (2007). V. 2. Ch. 8. P. 8-1-16-21
  • F. Li, D.-I. Son, H.-M. Cha, S.M. Seo, B.-J. Kim, H.-J. Kim, J.-H. Jung, T.W. Rim. Appl. Phys. Lett. 90, 222 109 (2007); 91, 122 111 (2007)
  • F. Verbakel, S.C.J. Meskers, R.A.J. Janssen. Appl. Phys. Lett. 89, 102 103 (2006); J. Appl. Phys. 102, 083 701 (2007)
  • S. Paul, A. Kanwal, M. Chhowalla. Nanotechnology 17, 145 (2006)
  • B.L. Groenendaal, E. Jonas, D. Freitag, H. Pielartzik, J.R. Reynolds. Adv. Mater. 12, 481 (2000)
  • A.N. Aleshin, S.R. Williams, A.J. Heeger. Synth. Metals 94, 173 (1998)
  • B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer, N.Y. (1984). P. 388
  • А.В. Ванников, А.Д. Гришина. Фотохимия полимерных донорно-акцепторных комплексов. Наука, М. (1984)
  • R.S. Penwell, B.N. Ganguly. J. Polym. Sci. Macromol. Rev. 13, 63 (1978)
  • J.V. Grazulevicius, P. Strohriegl, J. Pielichowski. Prog. Polym. Sci. 28, 1297 (2003)
  • I.D. Parker. J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994)
  • K.C. Kao, W. Hwang. Electrical transport in solids. Pergamon Press, Oxford (1981). P. 660
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.