ФТТ, 2008, том 50, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резистивное переключение в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии

В.К.Ярмаркин, С.Г.Шульман, В.В.Леманов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: v.yarmarkin@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 24 декабря 2007 г.
В окончательной редакции 11 февраля 2008 г.)

Исследовались условия и механизмы предварительного воздействия сильными электрическими полями (формовки) и последующего резистивного переключения в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии. Тонкие пленки TiO2 в этих структурах были получены различными методами: вакуумным испарением металлического титана с последующим термическим окислением на воздухе и высокочастотным катодным распылением диоксида титана из порошковой мишени. Измерены вольт-амперные и вольт-фарадные зависимости структур, а также зависимости их проводимости от времени выдержки под постоянным напряжением различной полярноcти и от температуры. На основании полученных данных сделано заключение о том, то физический механизм формовки состоит в резком увеличении плотности поверхностных состояний в пленках TiO2 в результате электрического пробоя барьера Шоттки на контакте с платиновым электродом, а резистивное переключение структур определяется изменением заселенности уровней поверхностных состояний в запрещенной зоне TiO2 и/или концентрации дефектов в области барьера при воздействии на структуры импульсами напряжения различной полярности.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00384), а также грантов НШ-5169.2006.2 и НШ-2628.2008.2.

PACS: 73.40.Rw, 77.55.+f, 77.84.Bw

 PDF версия (259Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster