Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2008, выпуск 10 » Статья стр. 1767
<<<>>>
Резистивное переключение в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии
Ярмаркин В.К.1, Шульман С.Г.1, Леманов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.yarmarkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
PDF версия
Исследовались условия и механизмы предварительного воздействия сильными электрическими полями (формовки) и последующего резистивного переключения в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии. Тонкие пленки TiO2 в этих структурах были получены различными методами: вакуумным испарением металлического титана с последующим термическим окислением на воздухе и высокочастотным катодным распылением диоксида титана из порошковой мишени. Измерены вольт-амперные и вольт-фарадные зависимости структур, а также зависимости их проводимости от времени выдержки под постоянным напряжением различной полярноcти и от температуры. На основании полученных данных сделано заключение о том, то физический механизм формовки состоит в резком увеличении плотности поверхностных состояний в пленках TiO2 в результате электрического пробоя барьера Шоттки на контакте с платиновым электродом, а резистивное переключение структур определяется изменением заселенности уровней поверхностных состояний в запрещенной зоне TiO2 и/или концентрации дефектов в области барьера при воздействии на структуры импульсами напряжения различной полярности. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00384), а также грантов НШ-5169.2006.2 и НШ-2628.2008.2. PACS: 73.40.Rw, 77.55.+f, 77.84.Bw
  1. A. Beck, J.G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer. Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000)
  2. W.R. Hiatt, T.W. Hickmott. Appl. Phys. Lett. 6, 106 (1965)
  3. S. Seo, M.J. Lee, D.H. Seo, S.K. Choi, D.-S. Suh, Y.S. Joung, I.K. Yoo, I.S. Byun, I.R. Hwang, S.H. Kim, B.H. Park. Appl. Phys. Lett. 86, 093 509 (2005)
  4. B.J. Choi, D.S. Jeong, S.K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J.H. Oh, H.J. Kim, C.S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke. J. Appl. Phys. 98, 033 715 (2005)
  5. C. Rohde, B.J. Choi, D.S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, C.S. Hwang. Appl. Phys. Lett. 86, 262 907 (2005)
  6. M. Villafuerte, G. Juarez, S.P. de Heluani, D. Comedi. Physica B: Cond. Matter 398, 321 (2007)
  7. H. Schroeder, D.S. Jeong. Microel. Eng. 84, 1982 (2007)
  8. D. Choi, D. Lee, H. Sim, M. Chang, H. Hwang. Appl. Phys. Lett. 88, 082 904 (2006)
  9. Y. Watanabe, J.G. Bednorz, A. Bleitsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, S.J. Wind. Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001)
  10. Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett. 66, 28 (1995)
  11. Y. Watanabe. Phys. Rev. B 59, 11 257 (1999)
  12. P.W.M. Blom, R.M. Wolf, J.F.M. Cillesen, M.P.C.M. Krijn. Phys. Rev. Lett. 73, 2107 (1994)
  13. J. Rodrigues-Contreras, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal, N.A. Pertsev. Appl. Phys. Lett. 83, 4595 (2003)
  14. A. Baikalov, Y.Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y.Y. Sun, Y.Y. Xue. Appl. Phys. Lett. 83, 957 (2003)
  15. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura. Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004)
  16. D.C. Cronemeyer. Phys. Rev. 87, 876 (1952)
  17. R.G. Breckenridge, W.R. Hosler. Phys. Rev. 91, 793 (1953)
  18. R. Bechtel. J. Appl. Phys. 35, 2142 (1964)
  19. V.E. Henrich, G. Dresselhaus, H.J. Zeiger. Phys. Rev. Lett. 36, 1335 (1976)
  20. V.E. Henrich, R.L. Kurtz. Phys. Rev. B 23, 6280 (1981)
  21. W. Goepel, G. Rocker. Phys. Rev. B 28, 3427 (1983)
  22. W. Goepel, J.A. Anderson, D. Frankel, M. Jaehnig, K. Phillips, J.A. Schafer, G. Rocker. Surf. Sci. 139, 333 (1984)
  23. L. Ahmad. Phys. Status Solidi 29, 179 (1968)
  24. R. Waser, M. Klee. Integr. Ferroelectrics 2, 23 (1992)
  25. S.M. Sze. Physics of semiconductor devices. Wiley, N.Y. (1969). 655 p
  26. G. Le Rhun, G. Poullain, R. Bouregba. J. Appl. Phys. 96, 3876 (2004)
  27. J. Bardeen. Phys. Rev. 71, 717 (1947)
  28. A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965)
  29. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 209 с
  30. W. Heywang. Solid State Electron. 3, 51 (1961)
  31. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник. Наук. думка, Киев (1974). 263 с
  32. T. Baiatu, R. Waser, K.-H. Haerdtl. J. Am. Ceram. Soc. 73, 1663 (1990)
  33. Yu.A. Boikov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, V.V. Lemanov. Appl. Phys. Lett. 78, 3866 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme