Издателям
Вышедшие номера
Резистивное переключение в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии
Ярмаркин В.К.1, Шульман С.Г.1, Леманов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: v.yarmarkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.

Исследовались условия и механизмы предварительного воздействия сильными электрическими полями (формовки) и последующего резистивного переключения в тонкопленочных структурах Au/TiO2/Pt на кремнии. Тонкие пленки TiO2 в этих структурах были получены различными методами: вакуумным испарением металлического титана с последующим термическим окислением на воздухе и высокочастотным катодным распылением диоксида титана из порошковой мишени. Измерены вольт-амперные и вольт-фарадные зависимости структур, а также зависимости их проводимости от времени выдержки под постоянным напряжением различной полярноcти и от температуры. На основании полученных данных сделано заключение о том, то физический механизм формовки состоит в резком увеличении плотности поверхностных состояний в пленках TiO2 в результате электрического пробоя барьера Шоттки на контакте с платиновым электродом, а резистивное переключение структур определяется изменением заселенности уровней поверхностных состояний в запрещенной зоне TiO2 и/или концентрации дефектов в области барьера при воздействии на структуры импульсами напряжения различной полярности. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00384), а также грантов НШ-5169.2006.2 и НШ-2628.2008.2. PACS: 73.40.Rw, 77.55.+f, 77.84.Bw
  • A. Beck, J.G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer. Appl. Phys. Lett. 77, 139 (2000)
  • W.R. Hiatt, T.W. Hickmott. Appl. Phys. Lett. 6, 106 (1965)
  • S. Seo, M.J. Lee, D.H. Seo, S.K. Choi, D.-S. Suh, Y.S. Joung, I.K. Yoo, I.S. Byun, I.R. Hwang, S.H. Kim, B.H. Park. Appl. Phys. Lett. 86, 093 509 (2005)
  • B.J. Choi, D.S. Jeong, S.K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J.H. Oh, H.J. Kim, C.S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke. J. Appl. Phys. 98, 033 715 (2005)
  • C. Rohde, B.J. Choi, D.S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, C.S. Hwang. Appl. Phys. Lett. 86, 262 907 (2005)
  • M. Villafuerte, G. Juarez, S.P. de Heluani, D. Comedi. Physica B: Cond. Matter 398, 321 (2007)
  • H. Schroeder, D.S. Jeong. Microel. Eng. 84, 1982 (2007)
  • D. Choi, D. Lee, H. Sim, M. Chang, H. Hwang. Appl. Phys. Lett. 88, 082 904 (2006)
  • Y. Watanabe, J.G. Bednorz, A. Bleitsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, S.J. Wind. Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001)
  • Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett. 66, 28 (1995)
  • Y. Watanabe. Phys. Rev. B 59, 11 257 (1999)
  • P.W.M. Blom, R.M. Wolf, J.F.M. Cillesen, M.P.C.M. Krijn. Phys. Rev. Lett. 73, 2107 (1994)
  • J. Rodrigues-Contreras, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal, N.A. Pertsev. Appl. Phys. Lett. 83, 4595 (2003)
  • A. Baikalov, Y.Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y.Y. Sun, Y.Y. Xue. Appl. Phys. Lett. 83, 957 (2003)
  • A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura. Appl. Phys. Lett. 85, 4073 (2004)
  • D.C. Cronemeyer. Phys. Rev. 87, 876 (1952)
  • R.G. Breckenridge, W.R. Hosler. Phys. Rev. 91, 793 (1953)
  • R. Bechtel. J. Appl. Phys. 35, 2142 (1964)
  • V.E. Henrich, G. Dresselhaus, H.J. Zeiger. Phys. Rev. Lett. 36, 1335 (1976)
  • V.E. Henrich, R.L. Kurtz. Phys. Rev. B 23, 6280 (1981)
  • W. Goepel, G. Rocker. Phys. Rev. B 28, 3427 (1983)
  • W. Goepel, J.A. Anderson, D. Frankel, M. Jaehnig, K. Phillips, J.A. Schafer, G. Rocker. Surf. Sci. 139, 333 (1984)
  • L. Ahmad. Phys. Status Solidi 29, 179 (1968)
  • R. Waser, M. Klee. Integr. Ferroelectrics 2, 23 (1992)
  • S.M. Sze. Physics of semiconductor devices. Wiley, N.Y. (1969). 655 p
  • G. Le Rhun, G. Poullain, R. Bouregba. J. Appl. Phys. 96, 3876 (2004)
  • J. Bardeen. Phys. Rev. 71, 717 (1947)
  • A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 209 с
  • W. Heywang. Solid State Electron. 3, 51 (1961)
  • В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник. Наук. думка, Киев (1974). 263 с
  • T. Baiatu, R. Waser, K.-H. Haerdtl. J. Am. Ceram. Soc. 73, 1663 (1990)
  • Yu.A. Boikov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, V.V. Lemanov. Appl. Phys. Lett. 78, 3866 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.