ФТТ, 2008, том 50, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении
электронными пучками средних энергий

Э.И.Рау, Е.Н.Евстафьева *, М.В.Андрианов

Институт проблем технологии и микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
* Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия
E-mail: rau@phys.msu.ru

(Поступила в Редакцию 26 апреля 2007 г.
В окончательной редакции 10 сентября 2007 г.)

Качественно и количественно исследованы электронно-эмиссионные и зарядовые характеристики широкого класса массивных диэлектриков. Показано, что при облучении диэлектриков непрерывным электронным пучком средних энергий происходит уменьшение значения равновесной энергии падающих электронов (второй критической энергии) по сравнению с их теоретическими значениями. Равновесное состояние зарядки до насыщения наступает за время от единиц до сотен секунд в зависимости от плотности облучающего тока и энергии электронов, а также в зависимости от материала диэлектрика. Механизмы зарядки объяснены на основе модели образования в процессе облучения двойного слоя зарядов: положительного (с толщиной, равной глубине выхода вторичных электронов) и отрицательного (с толщиной, равной глубине пробега первичных электронов).

PACS: 77.22.-d, 77.22.Jp

 PDF версия (411Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster