Издателям
Вышедшие номера
Механизмы зарядки диэлектриков при их облучении электронными пучками средних энергий
Рау Э.И.1, Евстафьева Е.Н.2, Андрианов М.В.1
1Институт проблем технологии и микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: rau@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2008 г.

Качественно и количественно исследованы электронно-эмиссионные и зарядовые характеристики широкого класса массивных диэлектриков. Показано, что при облучении диэлектриков непрерывным электронным пучком средних энергий происходит уменьшение значения равновесной энергии падающих электронов (второй критической энергии) по сравнению с их теоретическими значениями. Равновесное состояние зарядки до насыщения наступает за время от единиц до сотен секунд в зависимости от плотности облучающего тока и энергии электронов, а также в зависимости от материала диэлектрика. Механизмы зарядки объяснены на основе модели образования в процессе облучения двойного слоя зарядов: положительного (с толщиной, равной глубине выхода вторичных электронов) и отрицательного (с толщиной, равной глубине пробега первичных электронов). PACS: 77.22.-d, 77.22.Jp
  • С.Г. Боев, В.Я. Ушаков. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики. Энергоатомиздат, М. (1991). 240 с
  • И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969). 407 с
  • А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. Наука, М. (1977). 552 с
  • L. Reimer, U. Golla, R. Bongeler, M. Kassens, B. Schindler, R. Senkel. Optik. 92, 14 (1992)
  • D. Joy, C. Joy. Micron. 27, 247 (1996)
  • V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, K.P. Meyer, H. Blumtritt. Phys. Stat. Sol. (a) 78, 229 (1983)
  • J. Cazaux. J. Appl. Phys. 85, 1137 (1999)
  • J. Cazaux. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 244, 307 (2006)
  • F. Mady, R. Renoud, J.-P. Ganachaud. J. Phys.: Cond. Matter 14, 231 (2002)
  • X. Meyza, D. Goeuriot, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 94, 5384 (2003)
  • M. Touzin, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Treheux, H. J. Fitting. J. Appl. Phys. 99, 114 110.1 (2006)
  • H. Seiler. J. Appl. Phys. 54, R 1 (1983)
  • L. Reimer. Image formation in low-voltage scanning electron microscopy. SPIE Press, Washington (1993). 144 p
  • Nunes de Olivier, B. Gross. J. Appl. Phys. 46, 3132 (1975)
  • Z.G. Song, C.K. Ong, H. Gong. J. Appl. Phys. 79, 7123 (1996)
  • A. Melchinger, S. Hofmann. J. Appl. Phys. 78, 6224 (1995)
  • М.В. Андрианов, В.В. Аристов, А.В. Гостев, Э.И. Рау. Поверхность 3, 40 (2004)
  • М.В. Андрианов, А.В. Гостев, Э.И. Рау, Ж. Казо, О. Жбара, М. Белхании. Поверхность 12, 9 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.