ФТТ, 2008, том 50, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рост тонких пленок германия на поверхности W (100)

В.Н.Агеев, Е.Ю.Афанасьева

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
E-mail: afanaseva@ms.ioffe.rssi.ru

(Поступила в Редакцию 31 мая 2007 г.)

Методом термодесорбционной спектрометрии исследован рост тонких пленок Ge на поверхности текстурированной вольфрамовой ленты с преимущественным выходом грани (100) на поверхность при различных температурах подложки и в широком диапазоне покрытий. Механизм роста пленки Ge при T=300 K близoк к послойному. При T>300 K пленка растет по механизму Странского--Крастанова: после заполнения монослоя наблюдается образование трехмерных кристаллитов, что приводит к изменению кинетики десорбции. Энергия активации десорбции Ge c W (100) при малых покрытиях (в отсутствие латеральных взаимодействий) составляет E=4.9± 0.2 eV; в монослое она уменьшается до значения E=3.9± 0.2 eV вследствие отталкивательных латеральных взаимодействий. Определена энергия парных латеральных взаимодействий omega=0.3 eV.

Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 07-02-00284).

PACS: 68.43.Vx, 68.43.Mn

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster